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直面5大挑战 罗姆SiC/GaN赋能数据中心

1小时前
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随着 800V HVDC架构浪潮奔涌而来,碳化硅氮化镓头部企业正重兵集结,强势切入数据中心电源赛道。这片潜力十足的市场,已然跃升为第三代半导体行业新一轮的竞逐高地。

今年10月,英伟达公布了最新一批800VDC数据中心系统合作名单,罗姆半导体作为功率半导体器件代表厂商入选该名单。

为深入了解罗姆半导体在数据中心领域的布局规划和核心竞争力,“行家说三代半”近日采访了罗姆半导体,并探讨SiC/GaN在AI时代数据中心的机遇与挑战。

AI服务器用电量将达1000TWh数据中心低压系统面临5大挑战

随着全球AI服务器的快速发展,用电量激增成为最突出的问题。

根据罗姆的调查数据,2024—2027年全球AI服务器(5kW/台)的全球装机量预计分别达到10万台、20万台、30万台和60万台,预计其电力消耗将呈倍数增长。

罗姆半导体(上海)有限公司深圳分公司技术中心总经理水原徳健告诉“行家说三代半”,到2030年,全球数据中心电力消耗将达到AI用电量将激增至约1000TWh,约将消耗1/10全球电力。

水原徳健分析道,AI服务器的耗电核心在于GPU功率持续不断在提升,以英伟达为例,其GPU功率从700W提升至目前1.4kW,2年实现翻倍增长。预计2026年—2027年将达到1.8kW和3.6kW(约为2023年的5倍),进一步推动AI服务器整体耗电量的大幅增长。

AI服务器功率的不断提升对机架电源提出更高的挑战。根据光宝科技的规划,其单个PSU电源的功率将从目前的3kW逐步提高到5.5kW→18.3kW→122.5kW→125kW,而对应的整个机架电源(Power Shelf)功率将逐步提高到33 kW→110kW,未来将进入300kW~1MW的整柜时代。

数据中心GPU与PSU电源路线图

但是水原徳健认为,当前的数据中心低压系统(48V—54V)存在5大挑战,例如难以实现超过100kW功率,难以满足未来AI服务器MW级功率需求,为此高压化成为AI服务器发展的必然趋势。

目前,数据中心的高压系统主要有两个方向:一是由微软、谷歌、Meta等推动的Open Compute Project(开放计算项目)±400V系统;二是英伟达主导的800V HVDC系统。中国数据中心市场正在同时研发400V和800V HVDC系统,未来还可能向1500V HVDC演进。

SiC/GaN成高压架构最优解罗姆破局数据中心5大要求

在数据中心朝着大功率、高压直流架构发展的大背景下,碳化硅与氮化镓将迎来规模化应用机遇。

水原徳健表示,高压直流服务器电源主要有两大核心要求:一是提升电源转换效率,重点优化 AC/DC、DC/DC 等核心转换模块的性能,降低数据中心整体运营能耗;二是提升电源功率密度,通过技术升级实现电源设备在有限物理空间内承载更高功率输出,适配 AI 服务器持续增长的算力需求,同时助力数据中心实现集约化部署,节约空间与硬件成本。

相较于传统硅基器件,碳化硅与氮化镓凭借高频高效特性,成为提升电源转换效率与功率密度的优选方案。

但是,水原徳健认为,数据中心的进入门槛更高,除了基本的可靠性要求外,它对碳化硅与氮化镓厂商还将提出5个能力要求。

面对 AI 服务器高压化转型提出的严苛要求,罗姆凭借全链条技术布局、深度生态协作与快速迭代能力,在碳化硅与氮化镓领域率先实现破局。

首先是在生态协作层面,罗姆不仅成功进入英伟达榜单,更与台达、村田、科索等行业龙头达成深度合作,将氮化镓、EcoSiC™ 等产品落地于 45W AC 适配器、AI 服务器等核心场景,通过多方协同加速高压技术规模化应用。

其次作为全球少数同时掌握功率器件(硅、碳化硅、氮化镓)与模拟技术的厂商,罗姆构建了从芯片封装、从器件到驱动器的完整解决方案,全面覆盖 AC/DC、DC/DC 全环节,完美契合高效、高功率密度的器件开发需求。

第三,随着英伟达等GPU厂商产品迭代周期从两年缩短至一年甚至更短,半导体器件的更新速度必须同步提升。

未来,罗姆的碳化硅MOSFET产品将从第4代进化到第5代,功耗较上一代下降30%,后续罗姆的碳化硅器件迭代速度将缩短至2年一代,可精准匹配AI服务器快速迭代的市场需求。

为了进一步提升服务器电源的功率密度,罗姆半导体还创新开发了新型碳化硅器件封装产品DOT-247。

据介绍,DOT-247封装是一种二合一的集成化设计,保持了与传统TO-247封装相同的通用性,同时将两个分立器件合二为一,能够显著减少元件数量、安装面积和整体设计工时。在性能上,它通过优化封装结构,实现了比TO-247约低15%的热阻和约低50%的电感,从而在半桥等应用中大幅提升了功率密度。

此外,罗姆还与英飞凌达成合作,共享DOT-247、D-DPAK等封装技术与产品,解决单一供应问题,提升客户设计便利性与供应稳定性。

总的来说,依托硅、碳化硅、氮化镓及LSI的综合技术优势,罗姆与全球头部企业深度合作,构建了覆盖AI服务器电源侧、IT侧及热插拔系统的全场景解决方案。凭借芯片迭代速度、封装创新及可靠供应保障,精准匹配AI服务器高压、高效、高功率密度的严苛需求。

罗姆表示,他们正以数据中心为战略支点,全力冲刺2035年跻身功率与模拟半导体全球前十的发展目标。

 

本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。

罗姆

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ROHM公司总部在日本京都,是著名电子元件制造商。公司1958年成立,开始制造电阻器件,公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。ROHM公司采用先进的生产技术生产电子元器件,包括一些最先进的自动化技术,因此能够始终处于元件制造业的最前列.

ROHM公司总部在日本京都,是著名电子元件制造商。公司1958年成立,开始制造电阻器件,公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。ROHM公司采用先进的生产技术生产电子元器件,包括一些最先进的自动化技术,因此能够始终处于元件制造业的最前列.收起

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