德欧泰克全新DIF065SIC020: 采用TO-247-4L封装的高效650V SiC MOSFE

德欧泰克推出了其最新的碳化硅MOSFET DIF065SIC020，其导通电阻（RDS(on)）极低，仅为20毫欧。该产品采用了新型TO-247-4L封装，包含第四引脚，也被称为开尔文源极。这种设计能够实现更快的开关速度、更低的功率损耗以及更高的可靠性。这使得该产品非常适多种应用领域，包括数据中心服务器电源、光伏逆变器、工业电机驱动和功率转换系统。

在电力电子领域，各行业都在努力提高能源效率，而碳化硅作为一种有前景的下一代技术正在兴起。碳化硅承诺提供超越传统硅基功率MOSFET或IGBT的卓越性能，这主要得益于其更高的电压击穿能力和显著降低的功率损耗。宽带隙技术的应用使得这些器件能够在极端温度条件下可靠运行。与传统硅基器件相比，碳化硅MOSFET具有更低的导通电阻，每个开关周期产生的开关损耗更低，在功率转换系统中保持更高的开关速度的同时显著提高了效率。因此，碳化硅MOSFET正在成为多种应用的主要解决方案，尤其是在需要在极高频率下进行高电压开关的应用中——在这些应用中，传统的硅基MOSFET和IGBT明显受限。

凭借DIF065SIC020， 德欧泰克加强了其致力于通过耐用，高效的SiC技术为下一代能源解决方案提供动力的承诺。无论您是为数据服务器，太阳能，工业还是电动汽车应用设计，该MOSFET都是为了满足现代电力系统的需求而设计的。