为何最低RDS(on)的MOSFET，不一定是快速开关的最佳选择？

多数工程师会选择RDS(on)最低的MOSFET乍看之下，它很纯净。感觉上，它很高效。似乎，这是个稳妥的选择。随后，验证开始。损耗会毫无预兆地从导通损耗转向开关损耗。电流的上升速度快于栅极的稳定速度。寄生电容会拖慢开关边沿。在50kHz下，器件还能保持凉爽。到了200kHz，同一个器件就会热到足以改变你的热分布图。

这是我们熟悉的一种模式器件本身表现符合规格书所列参数，

但通常选型方法却未能做到这一点。

我们的工程师会从栅极电荷和电容比值开始分析，以及封装固有的热路径。

因为在更高频率下，决定器件在你的PCB上如何表现的，正是这些参数，而不是在理想测试夹具中的数据。

一个MOSFET不该在验证阶段给你“惊喜”。这种意外只发生在你把数据手册当作全部依据，而不是一个起点的时候。

对于快速开关应用，RDS(on)最低的器件，很少是最佳选择。