ASC600N1200ME3F碳化硅（SiC）模块加封碳化硅二极管SBD

08/20 07:37 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC600N1200ME3F碳化硅（SiC）模块加封碳化硅二极管SBD

1.12 MB

ME3 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，加封碳化硅二极管SBD；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 参数： VDS：1200V ID：600A RDS(on) ：2.7mΩ

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