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功率MOSFET

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  • BUCK电路功率MOSFET的选型方法
    功率MOSFET选型涉及击穿电压、连续漏极电流、导通电阻等参数。击穿电压应高于最大输入电压并留有裕量。连续漏极电流需考虑平均电流和峰值电流。导通电阻影响转换效率，应尽可能减小。导通损耗占比在非同步降压电路约为20%，同步降压电路则更高。最终，通过合理分配总损耗并选择合适参数，可实现高效降压电路设计。
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    2025/12/13
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    在电力电子设计领域，IR21844 作为经典的高压栅极驱动芯片，曾是众多工程师的 “老朋友”。但随着工业场景对电压、电流、抗干扰能力的要求不断提升，一款能全面替代且性能更优的芯片逐渐走进视野 —— 来自 杰盛微 的 JSM21844STR。从《JSM21844STR SOP-14.pdf》文档中不难发现，这款 4A/700V 带 SD 功能的高低侧栅极驱动芯片，在核心参数、保护机制、应用适配性上都
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