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ASC400N1200ME3F碳化硅模块内加SiC二极管1200V400A/62mm

2025/08/27
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ASC400N1200ME3F碳化硅模块内加SiC二极管1200V400A/62mm

673.50 KB

ASC400N1200ME3F碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 参数：    VDS：1200V    ID：400A    RDS(on) ：4mΩ

了解更多三代半碳化硅MOS与SiC模块信息，请关注微信公众号


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