芯耀
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离子注入是现代半导体制造中最核心的掺杂技术之一，其通过将加速后的离子束注入到硅晶圆等材料中，实现对掺杂浓度与分布的精准控制。
在这项技术中，7°角注入几乎成为一个标准工艺设定。
那么，为什么离子注入工艺中要采用大约7度的倾斜角？
这个角度的选择背后，并不是“拍脑袋”定的，而是结合了晶体物理、设备工艺窗口、掺杂均匀性与器件可靠性等多方面的考量。
01 0°角下的晶体通道效应（Channeling Effect）
硅等晶体材料具有高度有序的原子排列，当离子束恰好沿晶体方向（如[100]、[110]）注入时，离子可能沿着原子间的“通道”穿行而非与原子发生随机碰撞。
这种通道效应会显著提升离子的穿透深度，使得掺杂不均、深度无法控制，甚至穿透到有源区以下，造成器件击穿或性能异常。
02 大于10°的注入
大于10度的注入，容易造成注入均匀性差，尤其在8英寸或12英寸晶圆中难以控制掺杂分布的一致性。
倾角越大，离子束的“影子效应”越明显，金属掩膜（如硬掩膜）边缘可能遮挡离子，造成掺杂死角。
角度过大时，会在掩膜边缘形成异常掺杂轮廓，影响后续图形保真度。
03 7°角的来源与历史实践
早期的研究表明：为了最大限度抑制通道效应，只需让离子束与晶体主轴偏离一个“足够小但有效”的角度即可。
通过数十年大量工艺试验、模拟仿真（如TRIM、SRIM）及器件特性验证，发现5°~9°之间的倾斜角度可以显著削弱通道效应，而7°是最具普适性和平衡性的选择。
既可以抑制channeling effect，又不会因角度过大引起注入深度横向分布太宽，而且还有助于设备校准和标准化。
因此，7度角不是一个神秘的数字，而是经过材料物理、设备工程和工艺实践三重验证的“黄金折中值”，是现代离子注入技术中对精度、均匀性与可靠性三者平衡的最优点。
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