混合键合（Hybrid Bonding）

混合键合（Hybrid Bonding）在半导体封装技术迭代中扮演了关键的“桥梁”和“突破口”角色，它是实现更高性能、更高集成度封装的核心技术之一。

混合键合（Hybrid Bonding）是一种用于先进封装的芯片互连技术，它通过金属与介电材料的同时键合，实现芯片之间的高密度、低延迟连接。它区别于传统的焊接方式，不再依赖锡球或微凸点，而是让芯片或晶圆之间的金属层直接接触并形成电连接，同时其周围的介电层也通过原子级的键合作用牢固结合。

在混合键合过程中，两个芯片（或晶圆）首先经过表面平坦化（CMP）和清洁处理，使金属和绝缘层暴露并达到原子级平整度。随后，在极高精度的对准控制下，这些晶圆在常温或低温下被贴合，之后通过后热处理（如热退火）促使金属原子之间扩散结合，最终形成牢固、低电阻的电性和结构连接。

由于其互连间距可以达到2微米甚至更小，混合键合大幅提升了芯片间通信的带宽与速度，降低了寄生效应，并为芯片堆叠提供了极高的集成密度和优异的热性能。

混合键合技术被广泛用于3D封装（如存算一体芯片、HBM高带宽存储）和2.5D封装中高密度芯片之间的互连。它被认为是继TSV和微凸点之后的下一代关键互连技术，是实现未来异构集成、高性能计算和AI芯片设计的重要支撑。

简而言之，混合键合是一种将结构粘合与电连接同步完成的超高密度互连技术，正在引领先进封装从传统拼接式连接走向原子级集成的新阶段。

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