芯耀
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在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接影响系统的稳定性、效率与可靠性。今天给大家推荐一款国产高性价比栅极驱动芯片 ——JSM2104STR，它不仅性能优异，更是 EG2104 的理想替代型号，轻松适配各类功率应用场景。
一、产品核心亮点：为什么选 JSM2104STR？
JSM2104STR 是杰盛微半导体推出的700V 集成自举带 SD 功能的单相高低侧栅极驱动芯片，专为高压高速功率 MOSFET 驱动设计。它的核心优势集中在以下几点：
- 高压高可靠：浮地通道最高工作电压达 700V，dVs/dt 耐受能力达 50V/ns，轻松应对高压瞬变场景，稳定性拉满。
- 宽逻辑兼容：支持 3.3V、5V、15V 输入逻辑，无需额外电平转换电路，适配主流控制芯片（如 MCU、DSP）。
- 智能保护机制：集成 VCC 欠压锁定（UVLO）、防止直通保护（死区时间 520ns），从源头避免功率器件损坏。
- 高效驱动能力：输出级拉电流 300mA、灌电流 600mA，快速开关 MOSFET，降低开关损耗。
- 宽温工作：-40℃~125℃工业级温度范围，适配恶劣环境下的电机控制、逆变器等应用。
二、核心产品特性
三、与 EG2104 替代对比：参数完美匹配
作为 EG2104 的替代型号，JSM2104STR 在关键参数上高度兼容，同时部分性能更优。以下是两者核心参数对比表：
四、适用场景：哪里能用到它？
凭借优异的高压驱动性能和可靠保护机制，JSM2104STR 广泛适配以下场景：
五、设计小贴士：让应用更稳定
功能框图：包含 VCC UVLO & POR、VBS POR、HV Level Shifter、Latch、DeadTime & Control Logic、LV Level Shifter 等模块23。
自举电路设计：基本结构包含自举电阻、自举二极管和自举电容；需根据 MOS 开启栅极电荷、漏电等参数计算自举电容大小，推荐使用低 ESR 陶瓷电容，可并联电解电容优化性能；自举电阻可抑制不良信号，自举二极管需反向耐压能力大于驱动电源电压且选择快恢复类型24252627。
栅极电阻选择：与驱动芯片、MOSFET 及电路设计相关，工业无刷电机常用 200-120Ω，需平衡开关损耗和可靠性2829。
PCB 布局指南：靠近相关引脚放置低 ESR/ESL 电容；减小寄生电感；避免特定层重叠；优化散热焊盘连接；合理设计接地连接和自举电容充电路径等
六、总结：国产替代，性能不打折
JSM2104STR 以 700V 高压耐压、宽逻辑兼容、可靠保护及优异驱动能力，成为 EG2104 的高性价比替代方案。无论是家电、工业电机还是逆变器设计，它都能提供稳定可靠的驱动支持，助力工程师缩短开发周期、降低成本。
