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  • 高压半桥栅极驱动芯片共性问题及应对方案
    在一些低成本的应用中，为了取代隔离驱动，自举式电源成为一种广泛的给高压栅极驱动电路供电的方法。这种自举式电源具有电路简单、成本低的优点。高压半桥栅极驱动广泛应用于各种常见电路拓扑中，包括降压电路、同步升压电路、半桥电路、全桥电路和三相全桥电路等等。本应用指南以SGM48211为例，分析高压半桥栅极驱动芯片的共性问题，并给出应对措施。
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  • 隔离式栅极驱动器，如何强化欠压保护、优化死区控制、降低时序失真？
    隔离驱动芯片是指在栅极驱动器中集成电气隔离功能的数字隔离器件，其主要负责实现低压控制端（MCU、DSP）与高压功率端（如IGBT、MOSFET和SiC MOSFET）的电气隔离，同时通过芯片内部集成的微型电容（抑或是光敏元件/变压器线圈）作为核心传输介质来实现控制信号的跨隔离域传输。 其中，集成微型电容是生产隔离式栅极驱动器的主流方案之一，它主要通过OOK调制技术将PWM控制信号调制为一种“载波有
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  • 杰盛微JSM2113STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片
    在电子设备的世界里，芯片如同精密的 “心脏”，驱动着整个系统的高效运转。对于众多工程师和电子产品制造商而言，寻找性能卓越且适配的芯片至关重要。今天，我们要为大家介绍一款来自杰盛微半导体的明星产品 ——JSM2113STR，它在众多方面展现出超越经典芯片 IR2113 的实力，成为理想的替代方案。 一、产品概述 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高
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  • JSM2110STR4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片
    JSM2110S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道JSM2110S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。 JSM2110S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。ISM2110S采用宽体SOP-16(W)封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。应用
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  • JSM2106STR 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片
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