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拓荆科技双举措协同发力，进一步巩固领先地位。
出品 | 张通社
首图 | 网络
近日，国产半导体设备龙头拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”）发布公告，公司拟定增募资不超过46亿元，扣除发行费用后的募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目并补充流动资金。
同日，拓荆科技还披露了关于向控股子公司拓荆键科增资暨关联交易的公告。此次增资的核心目的，是为进一步推动拓荆键科在三维集成设备领域的迅速发展。
根据公告内容，拓荆键科此次拟融资共计不超过人民币10.4亿，拓荆科技拟出资不超过4.5亿元，其余资金由外部投资者参与。
值得注意的是，参与此次融资的投资方中出现了国投集新的身影。这意味着如果进展顺利，拓荆键科或将成为大基金三期投向的首个半导体项目。
46亿元定增 加码高端半导体设备业务
拓荆科技成立于2010年4月，是国家高新技术企业，主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司在北京、上海、海宁、沈阳和美国及日本成立子公司。
自成立以来，拓荆科技始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。
截至2025年6月30日，公司累计申请专利1,783项（含PCT），获得授权专利581项，其中发明专利294项。
目前，拓荆科技已构建起丰富且成熟的薄膜设备产品矩阵，形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备产品系列，可为集成电路芯片制造产线提供高端的专用半导体设备。
公司研发并推出的支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD薄膜系列设备均已在客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，其设备性能可与国际同类产品比肩。
此次46亿元定增募资，正是拓荆科技进一步扩大产能、加码技术研发的重要举措，募集资金净额将用于高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目建设及补充流动资金。
其中，高端半导体设备产业化基地建设项目系公司使用首次公开发行募集资金2.68亿元投资的项目，公司拟使用本次募集资金15亿元对其进行追加投资。该项目拟投入资金17.68亿元，项目建设期为5年。
高端半导体设备产业化基地建设项目以薄膜沉积设备扩产为主，拟在辽宁沈阳浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，将引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。
拓荆科技表示，项目的实施将大幅提升该公司高端半导体设备产能，支撑其PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，充分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模，从而进一步提升公司竞争能力和市场地位。
另一核心投入方向是拓荆科技前沿技术研发中心建设项目，以先进工艺设备开发为主，拟投入20亿元。
通过该项目的实施，公司计划开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括PECVD、ALD、沟槽填充CVD等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术，进而形成一系列具有自主知识产权；同时，将持续进行PECVD、ALD、沟槽填充CVD等产品的优化升级，满足先进工艺的迭代需求。
公司表示，本次定增募投项目，旨在推动高端半导体设备行业高质量发展，面向行业发展需求提升公司可持续增长能力，扩充高端半导体设备产能增强公司核心竞争优势。
大基金三期“出手”为何是拓荆键科？
拓荆科技对拓荆键科的此次增资，是对其在三维集成设备领域战略布局的延续与深化，旨在通过强化子公司实力，进一步巩固在这一关键赛道的竞争优势。
根据增资方案，拓荆科技拟以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元，其中约2.71亿元将以上市公司对拓荆键科经评估后的债权出资、约1.79亿元以自有资金出资。
本次交易完成后，公司对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为53.5719%，控股地位保持不变。
除母公司拓荆科技的追加投资外，拓荆键科本次还引入国投集新、上海华虹虹芯二期创业投资合伙企业（有限合伙）、上海展昀禾科技合伙企业（有限合伙）、海宁融创经开产业投资合伙企业（有限合伙）等多家外部投资者。
其中，国投新集以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元。增资完成后，国投集新将成为拓荆键科第二大股东，持股比例约为12.71%。
国投集新的投资之所以备受瞩目，核心在于其背后的“国家队”背景。该基金成立于2024年12月31日，背后的主要出资人为大基金三期，出资额710亿元，国投创业私募作为执行事务合伙人出资7100万元。
从公开信息来看，此次对拓荆键科的投资，是大基金三期成立至今首次出手半导体产业项目，这一动作不仅为拓荆键科注入了强劲资本动力，更具有鲜明的行业风向标意义，侧面印证了三维集成设备领域在国家半导体产业战略中的重要地位。
从行业背景来看，当前传统二维芯片微缩技术已逼近物理极限，全球半导体产业正式迈入“后摩尔时代”，三维集成技术由此成为行业突破性能瓶颈的关键方向。
三维集成技术是指将多个硅片或晶圆以垂直堆叠的方式集成，从而形成一个可作为单个器件运行的三维结构。这种方法显著缩短了元件之间的物理距离，从而提高了性能，降低了功耗，并缩小了尺寸，被业界普遍视为后摩尔时代芯片性能迭代的核心驱动力。
拓荆键科为拓荆科技控股子公司，成立于2020年，业务范围属于高端半导体专用设备领域，作为拓荆科技布局三维集成赛道的核心载体，主要聚焦三维集成设备的研发与产业化应用，属于芯片制造环节的关键短板。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户。
其产品包括晶圆对晶圆混合键合设备、熔融键合设备等，这些设备是HBM（高带宽内存）制造的关键环节，而HBM作为AI芯片性能突破的核心组件，市场需求正快速攀升。据摩根大通预测，HBM TCB设备市场规模将从2024年的4.61亿美元大幅增长，到2027年有望突破15亿美元，实现超两倍的扩张。
目前，拓荆键科在混合键合设备领域取得进展并实现产品产业化应用，但业务规模仍处于发展早期阶段。据公告披露，拓荆键科2025年上半年实现营收114.55万元，净亏损3746.76万元。
此次获得大基金三期在内的多家机构投资，将为其后续研发及业务扩张提供重要支撑。
国资基金密集布局 拓荆科技双举措协同发力
2024年，大基金三期、上海国投先导集成电路基金、北京集成电路产业投资基金、无锡集成电路产业专项母基金等一批国资母基金相继注册成立。
这一系列动作不仅彰显了国家与地方政府对半导体产业的高度重视，更构建起覆盖全国的半导体产业资本支持网络，为产业突破关键技术、完善产业链生态注入强劲动力。
进入2025年，大基金三期的资本布局加速落地，由其持股99.9%的三支子基金——华芯鼎新、国投集新、国家人工智能产业投资基金先后完成备案，注册资本分别高达930.93亿元、710.71亿元、600.60亿元。
在这样的资本布局下，若进展顺利，拓荆键科极有可能成为大基金三期投向的首个半导体项目。
大基金三期对拓荆键科的投资，既延续了大基金过往“补链强链”的投资逻辑，精准发力于半导体产业链的关键环节，也释放出三期基金“精准发力、快速落地”的鲜明信号，在成立不久便迅速选定投资标的，展现出高效的决策与执行能力。
从行业层面来看，大基金三期首个投资项目落地拓荆键科，有望提振国内半导体设备产业链的信心，吸引更多社会资本关注与投入，激发行业创新活力，加速关键技术的突破与国产化替代进程。
此次拓荆科技通过定增募资扩大产能、加码研发，同时推动控股子公司拓荆键科获得外部投资并引入国家大基金三期支持，形成了战略协同。
对于公司而言，将助力其突破薄膜沉积设备及三维集成键合设备的前沿核心技术，进一步巩固在国产半导体设备领域的领先地位。这一系列动作，也从实践层面体现了国家集成电路产业战略规划对关键设备自主可控的持续推动与深远布局。
文字 | 昼屿 编辑｜益达
