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射频基础知识:低噪放LAN偏置电路设计流程

12/02 08:58
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一、简介

LNA是射频RF和微波系统中的关键组件,主要用于放大微弱信号而不显著降低信噪比(SNR)。LNA设计的核心挑战之一是确保有源器件(通常为晶体管)的正确偏置电路,同时维持出色的射频性能。

二、理解偏置网络

在LNA设计中,偏置网络主要实现两大功能:

- 建立直流工作点:提供必要的直流电压和电流,设定晶体管的工作点。

- 保障射频性能:必须将直流偏置与射频信号隔离,避免对信号完整性和LNA的整体性能产生不利影响。

三、偏置网络的组件

- 偏置器(Bias Tees):通过电感器阻隔射频信号进入直流电源,用电容器阻隔直流进入射频路径,实现直流与射频信号的合路。

- 去耦电容器:滤除直流电源线路中的射频信号。

- 射频扼流圈(电感器):阻止射频信号进入直流偏置网络。

- 电阻器:设定正确的直流工作点,并可用于反馈网络。

四、设计注意事项

- 阻抗匹配:确保对射频信号路径的干扰最小。

- 隔离度:防止射频信号影响直流电源。

- 旁路与滤波:使用电容器确保射频信号不出现在直流线路上。

- 热稳定性:在温度变化范围内维持稳定的工作点。

五、典型设计流程示例

以采用GaAs FET作为有源器件的典型LNA设计为例,我们将重点分析FET栅极和漏极的偏置网络设计。

1、步骤1:确定偏置点

对于给定的FET,假设所需偏置点如下:

- 栅极电压(VG):-0.5V

- 漏极电压(VD):3V

- 漏极电流(ID):10mA

2、步骤2:栅极偏置网络设计

栅极偏置网络需为栅极提供-0.5V电压,同时阻隔射频信号。

包含的器件:

- 偏置电阻(RG):设定栅极电压。

- 射频扼流圈(LG):阻隔射频信号。

- 去耦电容器(CG):滤除偏置网络中的射频信号。

计算:

1. 选择RG设定栅极电压:

由于栅极电流(IG)通常可忽略,栅极电压VG=-0.5V。

2. LG的阻抗要求:

LG需在工作频率(f0)下具有高阻抗。电感器阻抗公式为

ZL=jωL=j2πf0L,假设f0=2GHz:

微带线实现:

- 使用高阻抗微带线(窄线宽)实现LG。

- 将CG放置在靠近栅极的位置,以将射频信号旁路到地。

3、步骤3:漏极偏置网络设计

漏极偏置网络需为漏极提供3V电压,同时隔离射频信号。

组件:

- 射频扼流圈(LD):阻隔射频信号。

- 去耦电容器(CD):滤除偏置网络中的射频信号。

计算:

- 选择LD以阻隔射频信号,同样使用公式ZL=jωL

假设f0=2GHz:

微带线实现:

- 使用高阻抗微带线来实现LD。

- 将CD靠近漏极放置,以将射频信号旁路到地。

六、示例配置与设计

1、原理图概述

- 输入网络:射频信号通过匹配网络和耦合电容传输至栅极。

- 栅极偏置网络:采用高阻抗微带线作为射频扼流圈,去耦电容接地。

- 漏极偏置网络:高阻抗微带线作为射频扼流圈,去耦电容接地。

- 输出网络:放大后的信号通过匹配网络和隔直电容从漏极输出。

2、实现步骤

1. 微带线设计

- 计算微带线的特性阻抗Z0和有效介电常数ϵeff

- 使用微带线设计公式或软件工具(如ADS、HFSS)进行精确布局。

2. 元件选型

- 选择等效串联电阻(ESR)低、自谐振频率(SRF)高的电容器。

- 确保电感器在工作频率下具有高品质因数(Q值)。

3. 仿真与优化

- 使用ADS、HFSS等软件对LNA电路进行仿真。

- 优化布局以最小化插入损耗和反射。

结论

使用微带传输线设计LNA偏置网络时,需在提供必要直流工作点与确保射频性能间谨慎权衡。通过合理布局电感器和电容器,并采用高阻抗微带线,设计者可在保持优异信号完整性的同时实现有效偏置。通过详细计算和精心的元件选型,能够实现稳健且高性能的LNA设计,提升射频与微波系统的整体性能。

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