芯耀
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当AI浪潮席卷全球科技产业，存储芯片作为算力基础设施的核心支柱，正迎来历史性的发展机遇。
美光科技2026财年第一季度法说会披露的DRAM业务数据，不仅展现了行业龙头的强劲增长势头，更揭示了AI时代存储市场的深层变革逻辑——供需失衡引发的超级周期已然成型，技术领先与产能布局成为决胜未来的关键。
美光DRAM业务的季度表现堪称“现象级”：单季营收突破108亿美元，占据总营收的79%，同比激增69%、环比增长20%，创下历史新高。
这一成绩的核心驱动力，是DRAM价格的强势上涨——本季度价格环比攀升约20%，而背后则是AI需求爆发与供给受限形成的尖锐供需矛盾。当前全球DRAM库存天数低于120天的紧张水平，叠加2026年全行业位元出货量仅约20%的增长预期，根本无法匹配AI驱动的指数级需求。
美光直言，中期内仅能满足主要客户50%至三分之二的需求，这种供需缺口直接支撑了公司对价格上涨周期延续至2026年之后的乐观判断。
技术领先是美光把握周期红利的核心底气。在DRAM制程领域，美光已连续四个技术节点保持行业领先，当前主力的one-gamma节点进展顺遂，不仅是2026年位元成长的核心引擎，更预计在下半年成为主要位元产出节点，持续巩固成本与性能优势。而面向未来的one-delta和one-epsilon节点研发，更彰显了其长期技术卡位的战略意图。
在AI存储的制高点HBM领域，美光的布局尤为亮眼：HBM4技术以超11Gb/s的速度领跑行业，将于2026年第二季量产，且全年HBM3E与HBM4的供应已全部完成客户签约。随着HBM市场规模预计以40%的年复合增长率扩张，2028年将提前两年突破1000亿美元，这一高毛利业务正成为美光的新增长极。
此外，16Gb LPDDR6的客户送样、低功耗LPDRAM的容量升级，以及车用ASIL标准产品的强劲需求，构成了美光覆盖全场景的DRAM产品矩阵。
面对持续的市场短缺，美光正通过加码资本支出与精准扩产策略抢占先机。公司已将2026财年资本支出从180亿美元上调至200亿美元，重点倾斜于DRAM、HBM及one-gamma节点产能。
短期聚焦现有产能最大化与制程转换，长期则加速全球建厂布局：美国爱达荷州首座晶圆厂提前至2027年中投产，纽约州新厂2026年初动工，日本广岛工厂扩充无尘室空间，新加坡HBM先进封装厂也将在2027年形成供应能力。这套“短期挖潜+长期扩容”的组合拳，旨在缓解供需矛盾的同时，筑牢长期竞争壁垒。
在业务策略层面，美光正通过合约绑定与组合优化最大化周期收益。公司正与关键客户洽谈结构更稳固的多年度长期合约，这类包含具体承诺的新合约与传统LTA“非常不同”，将有效锁定长期供应关系与利润空间。
在供应紧张背景下，美光动态平衡HBM与非HBM产品组合，优先保障高价值客户与战略业务，而one-gamma等新节点的产能提升则持续优化成本结构。尽管承认价格上涨可能抑制部分消费电子需求，但AI从数据中心到边缘设备的全面渗透，推动终端设备内存含量持续提升，长期需求韧性十足，这也支撑了公司对DRAM毛利率持续扩张的预期。
从行业格局看，美光的DRAM业务表现正是全球存储市场结构性变革的缩影。AI驱动的“以存代算”范式转型，使存储从普通组件升级为战略物资，单台AI服务器的DRAM需求量达到普通服务器的8倍，直接引发行业供需失衡。
而美光通过技术领跑、产能加码与策略升级，不仅在当前超级周期中收获丰厚利润，更在全球存储竞争中抢占了战略制高点。随着AI应用的持续深化，DRAM作为核心算力基础设施的价值将进一步凸显，而美光的布局与实践，正为行业揭示了在技术迭代与周期波动中保持领先的核心逻辑——以技术为锚，以产能为基，方能在变革浪潮中持续领跑。
