• 三大存储巨头通过英伟达HBM4认证
    6月5日,NVIDIA首席执行官黄仁勋宣布,三星电子、SK海力士和美光内存均已获得第六代高带宽内存(HBM4)的供货资格,这些内存将用于下一代AI加速器“Vera Rubin”。 今天下午抵达金浦国际商务中心后,黄仁勋表示:“三家供应商(三星电子、SK海力士和美光)均已通过认证筛选,目前正在生产HBM4内存。”他补充道:“他们都在竞相为‘Vera Rubin’供货。” HBM4内存将应用于NVID
  • 两大存储巨头Q2利润超6510亿!
    受人工智能(AI)普及的推动,三星电子和SK海力士预计将再次创下业绩新高。这是因为随着全球内存需求的激增,通用DRAM、NAND闪存以及高带宽内存(HBM)的价格持续上涨。 分析师指出,虽然人工智能带来的收益此前主要集中在HBM上,但如今供应短缺也蔓延至通用内存,从而提振了整个半导体市场。 据金融投资行业6月7日报道,过去一个月发布的报告汇总了各证券公司的共识预期,预计三星电子和SK海力士今年第二
  • 铠侠股价暴涨超5400%
    继上周软银之后,本周引爆日本股市的正是存储半导体公司铠侠(Kioxia)。6月3日交易日,铠侠股价上涨超过7%,甚至一度超越了市值最高的丰田汽车公司。 日本媒体争相报道这一消息。铠侠的市值从去年12月上市时的约8000亿日元飙升至如今的45万亿日元。该股在2024年底上市时发行价为每股1440日元,如今股价已飙升至近8万日元,暴涨5455%。铠侠社长太田博夫甚至对日本媒体表示:“我也很惊讶。 考虑
  • 聚力 AI 赛道!康盈半导体四大存储产品线亮相 COMPUTEX 2026
    台北,2026年6月 – 伴随全球端侧AI加速落地,存储作为智能硬件算力承载与数据流转的核心基础设施,迎来全新迭代升级。6月2日-5日,以「AI Together」为主题的第45届COMPUTEX 2026台北国际电脑展隆重举行。作为全球ICT与人工智能产业风向标,本届展会汇聚全球33个国家、1500余家科技企业参展,聚焦端侧AI落地、高性能算力升级与智能存储创新等核心赛道。 存储品牌康盈半导体(
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    13小时前
    聚力 AI 赛道!康盈半导体四大存储产品线亮相 COMPUTEX 2026
  • 一文了解ALD技术在DRAM中的应用
    本文介绍了DRAM技术的发展历程及其面临的挑战,特别是位线寄生电容(CBL)的降低策略。文章详细阐述了薄膜技术尤其是原子层沉积(ALD)技术在现代半导体制造中的重要作用,特别是在高k介电材料、金属电极、屏障和间隔器的沉积等方面的应用。ALD技术因其出色的台阶覆盖性能、卓越的均匀性和膜厚控制能力,成为解决传统薄膜沉积技术局限的理想选择。文中还探讨了ALD的基本原理、特点及其在不同领域的具体应用,包括DRAM电容和3D NAND的高深宽比结构薄膜沉积。最后,介绍了ALD沉积氮化硅薄膜所需的原料及设备,并提供了具体的制备方法和操作步骤。 关键词:DRAM,CBL,薄膜技术,原子层沉积(ALD),氮化硅薄膜
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    20小时前
    一文了解ALD技术在DRAM中的应用
  • 三星CTO:HBM5搭配2nm代工工艺
    三星电子宣布推出基于2纳米工艺的下一代高带宽内存HBM5,旨在通过先进散热管理和整体解决方案巩固其在AI内存市场的领先地位。公司展示了HBM5样机,并发布HPB技术,预计在年内交付样品。此外,三星还展示了支持NVIDIA芯片系统的内存产品组合,强调与全球公司的合作以增强竞争力。
  • 存储测试突围,爱德万 vs 精智达
    半导体存储器的电学性能和功能完整性直接影响终端电子系统的运行效率与稳定性。测试环节贯穿晶圆制造和封装测试,是保障产品出厂良率和控制制造成本的关键防线。据市场研究机构统计,半导体自动化测试设备(ATE)市场规模预计将从2024年的77.498亿美元增长至2030年的101.924亿美元,复合年增长率分别为4.8%和6.1%。
    存储测试突围,爱德万 vs 精智达
  • 存储主控“小巨人”辅导验收
    三地一芯电子股份有限公司(三地一芯)辅导状态变更至“辅导验收”,辅导机构为国泰海通证券股份有限公司。成立于2015年的三地一芯专注于NAND Flash存储控制芯片,凭借技术优势成为国家级专精特新“小巨人”企业,并获得多项荣誉。2023年营收1.68亿元,净利润5549.64万元,预计未来两年营收和净利润将持续增长。随着国产替代进程加速,三地一芯有望在存储主控赛道上取得更大突破。
  • 存储突围:国内企业级SSD的进击与变局
    AI推理需求的增长推动企业级SSD市场快速发展,国内厂商凭借技术创新和供应链完善迎发展机遇。面对性能、成本和系统协同的多重挑战,厂商们通过分层存储架构、高性能产品和存算协同技术,努力提升产品竞争力。随着新技术的应用,中国企业在AI存储领域的地位将进一步巩固。
  • SK会长:内存短缺将持续到2030年,SK海力士晶圆产能将翻番
    SK集团会长崔泰源预测内存短缺将持续至2030年,因AI需求激增。为应对此问题,SK海力士计划在未来五年内将晶圆产能翻倍。崔泰源还提到,扩大产能面临长期挑战,且需与台积电保持紧密合作关系。此外,他表达了对未来建立“人工智能工厂”的愿景,并强调了与台湾地区合作伙伴的重要性。
  • 技术深潜:High Bandwidth Memory (HBM3) 如何重塑内存墙边界
    HBM3通过3D堆叠、TSV和宽I/O技术革新,大幅提升带宽和能效,但其复杂性转移至封装、电源、散热和系统架构层面,标志着高性能计算步入“封装即系统”新时代。
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    06/03 14:43
  • 研报 | DRAM持续供不应求,预估2027年HBM合约价将倍数上涨
    TrendForce集邦咨询报告指出,自2H25以来,一般型DRAM价格上涨,三大原厂的HBM年度议价机制导致HBM合约价未能及时反映市场趋势。随着2Q26的到来,买卖双方开始就2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。预计三大原厂将在2027年大幅提高HBM报价,因为当前DRAM供不应求,且新旧世代HBM具有高制造难度和高成本。此外,HBM单片晶圆产值在1Q26被DDR5 64GB RDIMM反超,利润率也低于后者。因此,原厂将调整HBM与Conventional DRAM之间的产能配置,以确保HBM能继续作为AI训练及推理的基础部件,推动AI生态系统发展。2026年HBM需求主要来自AI ASICs的容量升级,而2027年则由Rubin Ultra和AI ASICs拉动。三大原厂预计2025-2027年HBM投片量分别占整体DRAM投片量的18%、22%及约30%,位元供给占比分别为8%、9%及约13%。
    研报 | DRAM持续供不应求,预估2027年HBM合约价将倍数上涨
  • 芯片公司介绍·求职内参|第10期|长鑫存储
    长鑫存储(CXMT)是中国大陆唯一实现DRAM大规模量产的企业,成立于2016年,总部位于安徽合肥。公司采用IDM模式,专注于DRAM芯片的研发、生产和销售,是中国DRAM市场的第四大厂商,并于2026年5月27日成功过会科创板IPO,募资295亿元。自成立以来,长鑫存储历经九年亏损,最终在2026年Q1实现了单季盈利247.62亿元,展现出强劲的增长势头。 长鑫存储的产品线涵盖了LPDDR系列和DDR系列,其中LPDDR系列在2025年贡献了超过66%的营收,而DDR系列也在不断扩展其市场份额。公司的技术实力雄厚,拥有先进的制程工艺和专利储备,同时积极布局HBM3等下一代存储技术。 在下游客户方面,长鑫存储已经进入了中国主流科技企业的供应链,包括阿里云、字节跳动、腾讯等。此外,公司还推动了上游国产替代进程,在化学品、备品备件、光刻胶和硅片等领域取得了显著进展。 作为一家IDM企业,长鑫存储不仅在技术和产品上具有竞争力,还在人力资源管理和企业文化建设上下足功夫。公司提供丰厚的薪酬福利,尤其是股权激励计划,吸引了大量优秀人才加入。对于求职者来说,长鑫存储是一个极具吸引力的选择,尤其是在半导体行业的快速发展背景下。
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    06/03 14:25
  • 2300亿深圳存储芯片龙头,冲刺港交所!净利润暴涨2644%
    江波龙作为一家独立品牌半导体存储器厂商,成立于1999年,拥有涵盖主控芯片及存储芯片设计、固件开发、系统级封装及测试的垂直整合能力。公司经营FORESEE、Zilia、雷克沙三个品牌,存储产品组合面向端侧AI及传统消费级、企业级及工规级应用。根据灼识咨询的资料,江波龙是全球超过100名市场参与者中第九大存储器厂商、第二大独立半导体存储器厂商,以及中国超过30个市场参与者中第三大存储器厂商、最大的独立存储器厂商。2025年,江波龙占据全球半导体存储产品市场1.2%的市场份额。
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    06/02 23:25
  • 180亿→1514亿元!解码合肥芯产业的增长公式
    长鑫科技IPO顺利过会,拟募资295亿元,有望成为中国存储芯片领域的领军企业。合肥凭借18年的系统工程,从“最大县城”跃升为“IC之都”,形成了完整的半导体产业链。2026年以来,合肥半导体产业迎来多项重要进展,包括长鑫科技IPO、晶合集成四期项目的启动等,彰显了其在存储芯片和晶圆制造方面的强劲实力。此外,合肥还通过多层次的投资和支持政策,推动了整个半导体产业的发展。
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    06/02 19:11
  • 研报 | 合约价快速上涨,1Q26 DRAM产业营收季增81%
    2026年第一季度,受一般型DRAM合约价加速上涨影响,存储器产业整体营收季成长81%,达970亿美元。随着AI应用转向云端服务提供商的数据中心,存储器采购需求扩展至各类RDIMM产品。第二季度,由于原厂库存不足,大容量RDIMM供需紧张,预计出货位元增幅有限,价格仍将维持高位。三大DRAM供应商中,Samsung营收领先,市占率上升至38.5%;SK hynix紧随其后,市占率为28.8%;Micron营收季增81.6%,市占率保持稳定。
    研报 | 合约价快速上涨,1Q26 DRAM产业营收季增81%
  • 日赚3.6亿,国内最赚钱的半导体企业
    长鑫科技发布亮眼财报,成为中国半导体行业的历史性突破。公司一季度营收508亿元,净利润达247.62亿元,日赚超3.6亿元。长鑫科技打破了全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家巨头垄断的局面,成为全球第四大DRAM厂商。这一成就对中国半导体产业而言具有重要意义,标志着中国企业在高端制造领域实现了技术和经济上的双重突破。
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    06/01 19:06
  • 第一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模同比增长245%
    近日,CFM闪存市场发布的《2026年第一季度DRAM/NAND Flash营收市占排名》中显示,2026年第一季度,全球存储行业进入AI驱动的结构性景气上行周期,市场依然由卖方主导。需求端,AI算力建设及Agentic AI应用拉动数据中心长期供货协议(LTA)陆续落地,HBM、服务器DRAM与企业级SSD优先抢占产能,消费及移动端需求被动受压。供给端,原厂持续优化产品结构,向高附加值AI存储倾斜,而新增有效产能释放周期较长,短期供需缺口持续存在。
    第一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模同比增长245%
  • Agentic AI刺激存储器需求扩张,预估2027年全球存储器产值将扩大至1.28万亿美元
    AI推动存储器需求激增,TrendForce集邦咨询上调存储器产值预估,DRAM和NAND Flash受益显著。AI推理需求增长促使HBM与DRAM需求上升,同时NAND Flash因成本较高和性能限制面临挑战,但因其在AI推理中的广泛应用,预计未来几年将持续增长。
    Agentic AI刺激存储器需求扩张,预估2027年全球存储器产值将扩大至1.28万亿美元
  • 谷歌、微软等提议联合建存储厂,SK海力士拒绝!
    SK海力士拒绝Google、微软和Meta的投资提议,转而寻求长期供货合同,维持其“超级供应商”地位。尽管面临高昂的EUV光刻设备采购费用,SK海力士仍坚持独立投资建厂,以保障其在全球高带宽内存市场的垄断地位。

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