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中微爱芯AiP9P35X产品开发指南

4小时前
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中微爱芯为AiP9P35X系列芯片提供一份产品开发指南和一个可以供客户调用的高可靠性库文件,帮助用户快速掌握芯片性能,降低用户触控按键开发难度和产品开发周期,提高开发效率。

1.中断中变量处理

凡是在中断中使用到的变量必须设置固定地址。如下图,中断用到了变量为r100us_base,r1ms_tk,r1ms_respons,r1ms_bell,F_bellOn共5个变量。则必须对这个5个变量设定固定地址即可,地址范围BANK0-BANK3。


中断程序


变量固定地址

2.中断标志位判断

判断某外设中断标志位是否响应,建议同时判断该外设的中断使能位和中断标志位,这样有利用程序的稳定性。可参考DEMO程序,如T0中断处理函数如下:


中断处理函数

3.系统时钟

AiP9P351芯片系统时钟建议采用8M,该频率下芯片EFT性能大大提高,可通过4800V试验。

4.常量CONST定义

一般Ram空间足够的情况下,不建议定义CONST常量,因为变量和常量的寻址方式不同,这样会导致程序空间增大。

如需要定义CONST常量,则必须添加地址,否则出现编译出错现象。如下:


CONST常量地址定义


编译出错,无法识别CDS文件

5.Switch语句使用

不建议使用Switch语句,建议采用if语句替代。

6.触摸提高灵敏度方法

6.1. 降低触摸阈值

如需要降低TK1按键的阈值,则将tkFingerThreshold[]值降低,以此类推其他按键。

6.2. 提高噪声值

在TK9PSingleCTC_Vx.xh文件中,适当提高噪声值C_SetNoiseThreshold。

6.3. 提高触摸内部比较器参考电压(推荐)

参考电压越高,则触摸灵敏度越好,但相应的可靠性也会稍微变差。

设置方法: 在TouchKey9PCTC_V1.0.h文件中,设定不同的CTC_VREF值则选择不同的比较器参考电压。如将内部参考电压从0.50VDD电压提高到0.6VDD,则将CTC_VREF的值设定为CTC_0P6_VDD。如图


0.5VDD比较器电压


0.6VDD比较器电压

7.触摸提高可靠性方法

7.1. 提高触摸阈值

参考6.1方法

7.2. 降低噪声值

参考6.2方法

7.3. 降低触摸内部比较器参考电压

参考6.3方法,降低比较器参考电压,则可以降低抖动噪声,提高可靠性,但相应的灵敏度也会降低。

如将内部参考电压从0.6VDD电压降低到0.4VDD,则将CTC_VREF的值设定为CTC_0P4_0VDD。(如初始设定就是0.4VDD,则无需修改)。

7.4. 开启自动跳频(推荐)

在TouchKey9PCTC_V1.0.h文件中,将C_AutoFrequenceGet的值设置为1.

7.5. 提高消抖次数

在TouchKey9PCTC_V1.0.h文件中,增加C_ConfirmFilterCount的值,同时反应时间也会变长。

8.触摸提高EMC方法

8.1. 开启自动跳频

在TouchKey9PCTC_V1.0.h文件中,将C_AutoFrequenceGet的值设置为1.

8.2. 增大触摸盘与芯片引脚的串联电阻

增大电阻阻值,可提高抗电磁干扰效果,理论上该阻值不超过5.1K。

如需了解更多产品资讯,请联系我司授权代理商或销售工程师。

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