SiC MOSFET中自由器件实现的优化

2023/10/26 作者：力特奥维斯Littelfuse

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SiC MOSFET中自由器件实现的优化

本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。

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SIR870ADP-T1-GE3	1	Vishay Intertechnologies	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power	ECAD模型下载ECAD模型	$1.41	查看
PMR209MC6100M100R30	1	KEMET Corporation	RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT		$3.58	查看

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