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本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。
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本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MS3106F10SL-3S | 1 | Amphenol Corporation | MIL Series Connector, 3 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Solder Terminal, Plug, |
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$45.08 | 查看 | |
| 0191930202 | 1 | Molex | Ring Terminal, 10.5mm2, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.46 | 查看 | |
| PMR209ME6470M220R30 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 220ohm, 630V, 0.47uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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$4.04 | 查看 |
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Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件，核心产品/技术包括IXYS IGBT；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件，核心产品/技术包括IXYS IGBT；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
查看更多力特于1927年于美国伊利诺伊州芝加哥正式成立。如今，力特已经在行业中建立了广泛和全面的电路保护产品系列和产品线，是世界领先的电路元器件供应商及电路保护品牌。
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