本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。
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本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| US1M-E3/61T | 1 | Vishay Intertechnologies | DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Signal Diode |
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$0.33 | 查看 | |
| 1735801-1 | 1 | TE Connectivity | 2.0mm,Crimp,Contact |
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$0.09 | 查看 | |
| NVMFS5C404NLAFT1G | 1 | onsemi | Single N-Channel Power MOSFET 40V, 370A, 0.67mΩ TrenchFet 40V N-ch Trench 6 HEFET, 1500-REEL |
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$4.13 | 查看 |
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在从消费电子产品到车辆和工业设施的使用电能的应用中,Littelfuse 产品一只是重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合,并在功率控制和检测领域拥有不断发展的平台。作为其加速组织增长和战略并购公司战略的一部分,他们正不断向相邻市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;并提供安全控制和电力分配产品。
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