SiC MOSFET中自由器件实现的优化

2023/10/26

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本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
S402TSRP	1	Littelfuse Inc	Silicon Controlled Rectifier, 1.5A I(T)RMS, 950mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4	ECAD模型下载ECAD模型	$0.99	查看
LQP15MN1N8B02D	1	Murata Manufacturing Co Ltd	General Purpose Inductor, 0.0018uH, 5.556%, 1 Element, SMD, 0402, CHIP, 0402	ECAD模型下载ECAD模型	$0.2	查看
MBRS240LT3G	1	onsemi	Schottky Power Rectifier, Surface Mount, 2.0 A, 40 V, SMB, 2500-REEL	ECAD模型下载ECAD模型	$0.24	查看

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