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SiC MOSFET中自由器件实现的优化

2023/10/26
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SiC MOSFET中自由器件实现的优化

本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
C0603C475K9PACTU 1 KEMET Corporation Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 4.7uF, 10V, ±10%, X5R, 0603 (1608 mm), -55º ~ +85ºC, 7" Reel/Unmarked

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CRCW080515R0FKEAHP 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 15ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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BAT54S 1 Weitronic Enterprise Co Ltd Rectifier Diode
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Littelfuse

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在从消费电子产品到车辆和工业设施的使用电能的应用中,Littelfuse 产品一只是重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合,并在功率控制和检测领域拥有不断发展的平台。作为其加速组织增长和战略并购公司战略的一部分,他们正不断向相邻市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;并提供安全控制和电力分配产品。

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