芯耀
本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。
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本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW0603332RFKEA | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 332ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.11 | 查看 | |
| L-14C68NJV4T | 1 | Johanson Technology Inc | General Purpose Inductor |
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$0.1 | 查看 | |
| ACS102-6T1-TR | 1 | STMicroelectronics | Overvoltage protected AC switch |
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$0.74 | 查看 |
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在从消费电子产品到车辆和工业设施的使用电能的应用中，Littelfuse 产品一只是重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合，并在功率控制和检测领域拥有不断发展的平台。作为其加速组织增长和战略并购公司战略的一部分，他们正不断向相邻市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；并提供安全控制和电力分配产品。
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查看更多力特于1927年于美国伊利诺伊州芝加哥正式成立。如今，力特已经在行业中建立了广泛和全面的电路保护产品系列和产品线，是世界领先的电路元器件供应商及电路保护品牌。
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