STPOWER SiC MOSFET：高压开关的真正突破

2024/10/24 作者：意法半导体(ST)

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STPOWER SiC MOSFET：高压开关的真正突破

碳化硅：在工业和汽车应用中实现更高功率密度的关键技术。基于宽禁带材料的先进和创新性能，ST 的 STPOWER SiC MOSFET 具有非常低的单位面积 RDS(on)，配备新的 650 V SCTN65G2 和新的 1200 V SCTN120G2 产品系列，结合优异的开关性能，实现高效、紧凑设计。这些新系列具有行业最高的 200°C 温度评级，可改善功率电子系统的热设计。

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意法半导体主要提供MCU、MPU、传感器、功率器件、模拟芯片，核心产品/技术包括L6398高压栅极驱动；在低空经济产业链中覆盖安全芯片、功率半导体、惯性传感、环境传感、计算与控制芯片、模拟与电源芯片等。

意法半导体主要提供MCU、MPU、传感器、功率器件、模拟芯片，核心产品/技术包括L6398高压栅极驱动；在低空经济产业链中覆盖安全芯片、功率半导体、惯性传感、环境传感、计算与控制芯片、模拟与电源芯片等。收起

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