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ESD 保护设计指南

2024/01/10
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ESD 保护设计指南

选择最合适的抑制技术需要在设备保护需求和操作要求之间取得平衡,同时考虑到预期的威胁级别。 除了抑制器件的电气特性外,还必须考虑形状因数/封装类型。 本指南旨在总结一些全面的 ESDLittelfuse 提供的解决方案可帮助设计人员缩小适合其最终应用的技术范围

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2-520084-2 1 TE Connectivity ULTRAFAST 110 ASSY REC 22-18 TPBR LP

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CRCW06034K99FKEA 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 4990ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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B82477G4333M000 1 TDK Corporation General Purpose Inductor, 33uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 5050, ROHS COMPLIANT

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Littelfuse

Littelfuse

Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。

Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起

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