晶体管

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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电信号来控制自身的开合,所以开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电信号来控制自身的开合,所以开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。收起

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  • 学子专区论坛 - ADALM2000实验:Peltz振荡器
    作者:Antoniu Miclaus,系统应用工程师 目标 本次实验旨在研究Peltz振荡器配置的特性。 背景知识 不同于采用单个晶体管的Clapp、Colpitts和Hartley振荡器,Peltz配置使用两个晶体管。观察图1,注意晶体管Q1配置为共基极放大器级。由L1和C1组成的谐振电路提供集电极负载。集电极的输出馈送到晶体管Q2的基极。Q2配置为射极跟随器(共集电极)级。当射极跟随器(Q2发
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  • 一文了解新型晶体管(环栅晶体管GAA)制造技术
    本文探讨了CMOS晶体管的发展趋势,特别是针对短沟道效应的解决方案。介绍了新型材料(如GaAs、InGaAs、InAs等)和结构(如FinFET、GAAFET)的应用,以及英特尔和台积电在制程技术上的创新。重点阐述了垂直型环栅晶体管(GAAFET)的优势,包括更优的沟道形貌、不受光刻限制的栅极长度、更高的集成密度和更低的功耗。文中还详细介绍了GAAFET的制造工艺,对比了水平型和垂直型环栅晶体管的特点,并指出现有技术面临的挑战和改进方向。
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  • 高压、高频功率转换系统中,为何要使用隔离式栅极驱动器?
    隔离式栅极驱动器是指栅极驱动器与数字隔离器的一体化单芯解决方案,其主要负责隔绝高低压电路间的直接电气联系,同时充当逻辑侧MCU的功率放大器,以产生适当的大电流栅极驱动,让MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率晶体管得以高速导通或关闭,进而降低系统功耗并增强其对噪声的抗干扰能力。 一种典型增强型双通道隔离式栅极驱动器(CMT8602X)的应用原理图 如上述应用原理图所示,在涉及高频电力变
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  • 角逐2nm
    三星、台积电和Rapidus纷纷发力2nm制程,三星Exynos 2600即将量产,联发科2nm SoC已完成设计流片,苹果有望在2026年推出2nm芯片。台积电已准备好量产,三星良率有待提高,Rapidus则聚焦专用芯片市场。
  • 1.4nm,提前实现良率!
    据消息人士透露,台积电的A14节点已提前实现了良率,重要的是,A14相比N2节点的预期性能提升。 据官方公布的细节,A14工艺相比即将量产的2nm(N2)会有非常显著的提升。在相同功耗下,A14 的速度可以提升大约15%。如果保持速度不变,功耗能下降30%左右。芯片逻辑密度也能提高20%, 这意味着在同样大小的芯片上,能塞进更多晶体管,性能和能效同时得到优化。 实现这些提升的关键在于,台积电采用了