晶体管

• 意法半导体新GaN半导体器件提升能效，主打AI服务器、机器人等高需求应用

  700V PowerGaN功率器件提升能效，缩减电源设计体积，适用于AI服务器、机器人、工业设备，以及家电等高端消费类产品 意法半导体新氮化镓（GaN）功率晶体管赋能高需求电气化应用提升能效和功率密度。新推出的700V PowerGaN氮化镓功率器件属于STPOWER产品组合，能够解决人工智能服务器耗电量不断攀升的能效难题，还可以克服市场需要更高的电源转换性能而传统硅基器件已经达到技术极限的行业挑

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  06/05 11:24

  意法半导体 晶体管

  
• 音频变压器的非线性失真机制与主观听感关联

  音频变压器在专业录音、Hi-Fi重放及电子管放大器中不仅是信号耦合元件，更因其独特的非线性失真特性而成为“音色调色板”。相较于运放或分立晶体管电路的硬削波失真，变压器磁芯的B-H曲线非线性会产生以偶次谐波为主的软失真，这在主观听感上常被描述为“温暖”、“厚实”或“模拟味”。本文从物理机理出发，分析音频变压器非线性失真的产生过程、谐波分布规律、磁芯材料的差异，并探讨失真特征与主观听感的关联，为音频设

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  06/05 10:34

  放大器 晶体管
• 脉冲 I‑V 测试在 MOSFET 器件表征中的应用与实现

  在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲或短时导通（开关）激励条件下，才能更真实地反映其实际工作行为。 相比连续直流测试，脉冲测试通过在极短时间内施加激励，可显著降低器件自发热（焦耳热）对测量结果的影响，从而更准确地表征器件的本征特性。这一优势使脉冲测量被广泛应用于纳米器件、功率器件及晶圆级测试等场景，尤其

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  04/30 12:26

  MOSFET IGBT

  
• Tektronix 助力二维材料器件与芯片研究与创新

  二维材料凭借其原子级厚度、无悬挂键的表面以及优异的电学和光电特性，正成为延续和超越摩尔定律的核心候选材料。其最新发展趋势主要体现在以下几个方面： 1)面向“More Moore”的极致尺寸微缩与新架构（CFET/MCT）：在亚2纳米甚至1纳米节点，传统的硅基晶体管面临严重的短沟道效应和迁移率退化。二维半导体（如MoS2、WSe2等）由于即使在原子级厚度下仍能保持良好的静电控制和高迁移率，被视为理想

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  04/23 09:47

  存储器 晶体管

  
• 一文读懂现代GPU架构：从晶体管到AI算力的硬核拆解

  现代GPU的设计通过数十亿晶体管和分层嵌套的计算单元实现了惊人的算力增长，从早期的游戏画面到当前的AI训练和科学模拟，GPU已成为不可或缺的核心组件。其独特的SIMT架构使得大量并行任务高效执行，而先进的显存技术和散热系统则确保了稳定可靠的性能表现。未来，随着新技术的应用，GPU将继续推动计算能力的革新。

  歪睿老哥

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  04/20 12:23

  GPU AI算力

  
• 晶体管达林顿光耦：核心特性驱动的技术优势与应用价值

  晶体管达林顿光耦作为光电耦合器件重要分支，融合达林顿晶体管高电流放大特性与光耦电气隔离功能，通过内部复合晶体管结构与优化封装工艺，而非简单功能叠加，在电流驱动、绝缘隔离、低功耗等方面实现性能突破，广泛适配工业控制、电力电子、汽车电子等领域的严苛需求。以下聚焦五大核心特性，解析其如何破解传统光耦瓶颈，彰显技术价值。 高电流增益强化驱动能力 普通光耦输出电流有限，驱动继电器、电磁阀等中等功率执行器件需

  腾恩科技

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  04/11 08:39

  光耦 晶体管
• 低功耗晶体管|如何实现超陡亚阈值摆幅

  亚阈值摆幅（SS）是制约芯片性能的关键因素，尤其在高性能计算领域。传统MOSFET受限于玻尔兹曼分布，SS存在不可突破的60 mV/dec理论极限，导致动态功耗随算力提升呈指数级恶化。本文介绍了几种突破此极限的技术方案：负电容（NC）晶体管**：通过引入铁电材料实现负电容效应，降低体因子，突破玻尔兹曼极限。

  Semlsee

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  04/10 14:14

  晶体管 负载电容

  
• 低压GaN转换器栅极驱动和测量

  作者：Kurk Mathews，高级应用经理 Luis Onofre Lazaro，应用工程师 摘要 本文讨论了应用氮化镓场效应晶体管(GaN FET)时，对栅极电压进行精准控制和对栅极参数进行高精度测量的必要性。 引言 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率

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  04/03 10:35

  转换器 GaN

  
• 浙江大学+西南大学 | 基于ReS₂/Si的偏振突触晶体管：突触可塑性赋能偏振比增强

  浙江大学和西南大学的研究团队开发了一种基于ReS₂/Si异质结的结型场效应突触晶体管，利用ReS₂的各向异性实现偏振响应，并结合synaptic的半易失特性增强偏振信号处理。该器件在眩光抑制和指纹识别等应用中表现出色，为下一代基于神经形态视觉的光多维感知系统提供了新思路。

  Semlsee

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  03/27 10:50

  晶体管
• 晶体管达林顿光耦：电站稳定运行的隔离防护核心

  电站作为能源供给核心枢纽，其发电机组、高压开关、励磁系统等需在高电压、强电磁、高负荷严苛环境下精准联动。信号传输失误或设备联动故障可能引发大面积停电，危及能源安全。晶体管达林顿光耦凭借高电流放大倍数、强绝缘隔离、抗干扰传输等核心优势，成为破解电站信号隔离与精准控制难题的关键部件，既实现高压电路与控制回路安全隔离，又保障指令信号稳定传输，以下解析其核心作用。 隔绝高压电路的电位窜扰 电站高压配电系统

  腾恩科技

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  03/21 14:10

  光耦 晶体管
• 群光电能采用英飞凌CoolGaN G5晶体管，为一线笔记本品牌打造高功率适配器

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球领先的笔记本适配器制造商群光电能已采用其CoolGaN™ G5晶体管，为核心客户提供多款笔记本适配器。该设计方案展示了氮化镓（GaN）功率半导体如何加速向更紧凑、更节能的充电解决方案转型，从而使主流计算设备实现更小的尺寸和更好的可持续性。 笔记本适配器 这款新适配器设计方案的

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  03/13 10:00

  英飞凌 GaN

  
• 三菱电机推进GaN-on-Diamond技术，键合率达95%

  日本三菱电机、熊本大学和日本产业技术综合研究所联合研发了一款30mm x 30mm的GaN-on-diamond高电子迁移率晶体管（GoD-HEMT），利用马赛克金刚石衬底和表面活化键合技术，解决了大面积GaN器件的散热难题，为高功率射频器件提供了新解决方案。

  DT半导体

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  03/11 21:17

  GaN 氮化镓
• Diodes 公司推出超低 VCE(sat) NPN与 PNP 双极型晶体管

  Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq: DIOD）宣布推出 DXTN/P 78Q与80Q系列，扩充符合汽车规范的双极型（Bipolar）晶体管产品组合。这两个系列是超低 VCE(sat) NPN与PNP晶体管，提供业界领先的传导效率与热性能，针对高要求的汽车电源开关与控制进行优化。 两个系列的十二款高性能器件支持广泛的电压范围，适用于12伏、24伏和48伏汽车系统。这些器件适用于栅极驱

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  01/06 10:00

  MOSFET 晶体管

  
• ADI公司LDO的电容选择指南

  作者：Glenn Morita，应用工程师 为什么电容的选择至关重要？ 电容往往被人们所忽视。电容既没有数十亿计的晶体管，也没有采用最新的亚微米制造工艺。在许多工程师的心目中，电容不过是两个导体加上中间的隔离电解质。总而言之，它们属于最低级的电子元件之一。 工程师们通常通过添加一些电容的办法来解决噪声问题。这是因为他们普遍将电容视为解决噪声相关问题的“灵丹妙药”，很少考虑电容和额定电压以外的参数。

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  2025/12/17

  pcb 晶体管

  
• 承压超过1200V，安森美vGaN解锁极致功率密度与效率

  安森美推出垂直氮化镓(vGaN)晶体管，具备高频率处理极高压的能力，效率超越传统硅芯片。这项技术已在66,000平方英尺的先进设施中实现规模化量产，并应用于电动汽车充电器、人工智能数据中心等多个领域，有望推动全面电气化进程。

  安森美半导体

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  2025/12/16

  晶体管 大功率二极管
• 学子专区论坛 - ADALM2000实验：Peltz振荡器

  作者：Antoniu Miclaus，系统应用工程师 目标 本次实验旨在研究Peltz振荡器配置的特性。 背景知识 不同于采用单个晶体管的Clapp、Colpitts和Hartley振荡器，Peltz配置使用两个晶体管。观察图1，注意晶体管Q1配置为共基极放大器级。由L1和C1组成的谐振电路提供集电极负载。集电极的输出馈送到晶体管Q2的基极。Q2配置为射极跟随器（共集电极）级。当射极跟随器（Q2发

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  808

  2025/11/12

  示波器 晶体管

  
• 一文了解新型晶体管(环栅晶体管GAA)制造技术

  本文探讨了CMOS晶体管的发展趋势，特别是针对短沟道效应的解决方案。介绍了新型材料（如GaAs、InGaAs、InAs等）和结构（如FinFET、GAAFET）的应用，以及英特尔和台积电在制程技术上的创新。重点阐述了垂直型环栅晶体管（GAAFET）的优势，包括更优的沟道形貌、不受光刻限制的栅极长度、更高的集成密度和更低的功耗。文中还详细介绍了GAAFET的制造工艺，对比了水平型和垂直型环栅晶体管的特点，并指出现有技术面临的挑战和改进方向。

  半导体全解

  1.7万

  2025/11/03

  晶体管 CMOS

  
• 高压、高频功率转换系统中，为何要使用隔离式栅极驱动器？

  隔离式栅极驱动器是指栅极驱动器与数字隔离器的一体化单芯解决方案，其主要负责隔绝高低压电路间的直接电气联系，同时充当逻辑侧MCU的功率放大器，以产生适当的大电流栅极驱动，让MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率晶体管得以高速导通或关闭，进而降低系统功耗并增强其对噪声的抗干扰能力。 一种典型增强型双通道隔离式栅极驱动器（CMT8602X）的应用原理图 如上述应用原理图所示，在涉及高频电力变

  华普微 HOPERF

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  2025/09/29

  晶体管 隔离器

  
• 角逐2nm

  三星、台积电和Rapidus纷纷发力2nm制程，三星Exynos 2600即将量产，联发科2nm SoC已完成设计流片，苹果有望在2026年推出2nm芯片。台积电已准备好量产，三星良率有待提高，Rapidus则聚焦专用芯片市场。

  半导体产业纵横

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  2025/09/28

  晶体管 先进制程
• 1.4nm，提前实现良率！

  据消息人士透露，台积电的A14节点已提前实现了良率，重要的是，A14相比N2节点的预期性能提升。 据官方公布的细节，A14工艺相比即将量产的2nm（N2）会有非常显著的提升。在相同功耗下，A14 的速度可以提升大约15%。如果保持速度不变，功耗能下降30%左右。芯片逻辑密度也能提高20%， 这意味着在同样大小的芯片上，能塞进更多晶体管，性能和能效同时得到优化。 实现这些提升的关键在于，台积电采用了

  芯片大师

  1247

  2025/09/28

  台积电 晶体管

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