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HT2812H PSR芯片过热警告频发？是参数没调对！附保护电路触发条件详解

在智能手机充电器、小型平板适配器、便携数码产品电源等小功率供电设备领域，“高效集成” 与 “稳定可靠” 是工程师选型的核心诉求。华芯邦HT2812H，作为高性能一次传感调节器（PSR），凭借内置 850V 功率 BJT、省去光耦与 TL431 的精简设计、符合 Level 6 能效标准等优势，成为众多小功率电源方案的优选。但在实际应用中，部分工程师会关注：这款高性能芯片工作时为何会发热？哪些因素会

华芯邦

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10/14 09:15

芯片保护电路

三极管放大电流原理：电子世界的能量控制器

在智能音箱的音频功放电路中，一枚贴片三极管将微弱的DAC输出信号放大百倍，驱动扬声器发出清晰音效。这一过程揭示了三极管作为"电流放大器"的核心价值——通过精密控制载流子运动，实现电能的高效转换与调控。一、结构基础与载流子调控双极型晶体管（BJT）由三个掺杂区构成发射结（BE）和集电结（BC）。当发射结正偏、集电结反偏时（放大区工作条件），发射区高浓度电子注入基区。以NPN型为例：发射极注入：

MDD辰达半导体

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02/27 07:22

放大器三极管

Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT

Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展，推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50 V和80 V，支持NPN和PNP极性的1 A至3 A电流范围，进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。通过此次发布，Nexperia通过DFN封装提供了其大部分的功率BJT，可满足设计人员对节省空间和能源的封装的

与非网编辑

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2024/09/02

Nexperia BJT

Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT

简述半导体原理——晶体管家族的核心工作机制

在电力电子行业中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）无疑是广为人知的明星器件。然而，当我们面对基于GaN（氮化镓）材料的HEMT（高电子迁移率晶体管）技术时，可能会感到些许陌生。为了更全面地了解这一领域，让我们对晶体管家族的谱系进行一次详尽的梳理，如图1所示，这样我们能更清晰地把握它们之间的关系与差异。

英飞凌

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2024/07/22

MOSFET IGBT

ADALM2000实验：BJT多谐振荡器

背景知识本文解释三种主要类型的多谐振荡器电路以及如何构建每种电路。多谐振荡器电路一般由两个反相放大级组成。两个放大器串联或级联，反馈路径从第二放大器的输出接回到第一放大器的输入。由于每一级都将信号反相，因此环路整体的反馈是正的。多谐振荡器主要分为三种类型：非稳态、单稳态和双稳态。非稳态多谐振荡器使用电容耦合两个放大器级并提供反馈路径。电容会阻隔任何从一级传送到下一级的直流信号，因此非稳态多谐振

与非网编辑

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2023/06/20

示波器多谐振荡器