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GaN FET

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  • 在LTspice仿真中使用GaN FET模型
    近年来，工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性，能够在较高开关频率下实现高功率密度，而MOSFET在相同条件下运行时会产生巨大的热损耗。在相同条件下，并联MOSFET并不能节省空间或提升效率，因此GaN FET成为一种颇具吸引力的技术。业界对GaN器件性能表现的关注，相应地催生了对各种GaN器件进行准确仿真以优化应用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，针对GaN FET驱动进行了优化。借助这些模型，设计工程师可以确定哪种GaN FET最适合特定应用，并尝试不同的组合以获得理想性能
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    10/15 10:57
    GaN FET LTspice仿真
  • 基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器的设计注意事项
    鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器或混合串式逆变器。 图 1 是混合串式逆变器的方框图。常见的稳压直流母线可将各个基本模块互联起来。混合串式逆变器包含以下子块： 用于执行最大功率点跟踪的单向 DC/DC 转换器。
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    07/11 11:04
    IGBT 终端设备
    基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器的设计注意事项
  • Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。
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    2023/12/11
    Nexperia GaN FET
    Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
  • Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案
    Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案 新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，
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    2023/06/16
    PFC Transphorm
  • EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计
    基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。 宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。 EPC9186在每个开关
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    2023/05/11
    GaN 氮化镓
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