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推动8吋SiC量产,国内企业又解决一大难题
业界普遍认为,SiC MOSFET大规模替代的硅基IGBT的临界点是价差缩小至2.5倍以下,而实现这一预期的关键在于降低SiC衬底成本,而高质量、大直径的8英寸SiC衬底片是降低SiC MOSFET器件成本的有效途径。
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5款SiC新品亮相,真的有点猛!
在过去一年里,SiC产品迎来大爆发;2024开年以来,包括Qorvo、三菱电机、至信微等企业也纷纷推出碳化硅新品,积极打进汽车和飞机供应链,牵头再谱新年新篇章。
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飞锃半导体:SiC MOS出货量飙升,5大策略应对“内卷”
回首2023,碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步?出现了哪些变化?2024将迎来哪些新机遇和新挑战?本期嘉宾是飞锃半导体CEO 周永昌。
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中科汉韵:车规SiC MOS成功交付,致力成为一流IDM厂商
回首2023,碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步?出现了哪些变化?2024将迎来哪些新机遇和新挑战?
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01/23 09:05
SiC-MOSFET
功率器件,2024年的机会在哪里?
2023年对整个半导体产业来说并不轻松。根据WSTS的数据,2023年半导体元器件行业市场规模为5201亿美元,下跌9.4%,在所有元器件细分品类中,以功率器件为代表的分立器件是去年唯一正增长的,全年预计增长5.8%。 作为电能转化和电路控制的核心器件,功率器件下游应用十分广泛,按照下游应用划分,汽车领域占比达40%,其次是工业占比27%,消费电子占13%,其他领域(如通讯、计算机等领域)占20%
史德志
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