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N沟道MOSFET

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  • 惠海 60V25A HC031N06L NOMS管选型推荐，大电流低导通电阻，DC/DC转换器首选
    一、产品概述 HC031N06L 是东莞市惠海半导体有限公司推出的一款 60V N沟道沟槽型功率MOSFET（Trench Power MOSFET）。该产品采用先进的沟槽工艺技术（Trench Technology），在 60V耐压 下实现了极低的导通电阻 RDS(ON)仅26mΩ，同时具备低栅极电荷和 低至10V的栅极驱动电压 工作能力，非常适用于DC/DC转换器、高频开关电源及同步整流等应用
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    10/13 13:43
    N沟道MOSFET
  • 德欧泰克DID3A2N65 650V/3.2A N沟道MOSFET
    欧盟规定49W以下AC-DC适配器待机功耗2020年不超100mW、2028年降至75mW，并限定各负载效率。低栅极电荷与低导通电阻MOSFET可降低开关损耗、提升能效。德欧泰克DID3A2N65 650V/3.2A N沟道MOSFET具低Qg、低Rds、快开关和I-PAK封装，适配紧凑型电源适配器。
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    10/09 07:11
    开关电源 电源适配器
    德欧泰克DID3A2N65 650V/3.2A N沟道MOSFET
  • JSM3404，一款 30V N 沟道增强型沟槽 MOSFET
    在消费电子、工业电源设备不断朝着小型化、高功率密度、高效率方向迭代的当下，SOT‑23 这种经典小贴片封装，依旧是硬件工程师方案选型里无法绕开的选择。很多工程师在项目开发中经常遇到现实难题：小体积贴片 MOS 管标称电流好看，实际带载就严重发热；MCU 仅 4.5V 驱动电平下 MOS 管导通效果差；感性负载冲击容易造成器件损坏；同时还面临进口器件交期波动、成本压力大等多重困扰。 针对低压大电流贴
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    09/09 15:22
    N沟道MOSFET
  • JSM130N06Q5 N 沟道沟槽 MOSFET
    在电源、电机驱动、电池管理等功率类硬件开发中，MOSFET 作为电能开关的核心器件，直接决定整机的转换效率、温升表现、功率密度以及长期运行可靠性。随着设备不断向小型化、大功率方向迭代，工程师常常面临一组矛盾：既要器件体积小巧，满足 PCB 高密度布局；又要实现大电流承载、极低导通损耗，同时兼顾开关性能与散热能力。很多传统器件很难同时兼顾以上需求。 作为深耕功率分立器件研发制造的本土厂商，杰盛微（J
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    09/01 17:33
    N沟道MOSFET
  • JSM8820 20V 双 N 沟道器件
    随着消费电子小型化、便携设备续航升级、供应链自主可控需求持续走高，低压电源管理赛道对双路集成 MOSFET 提出低导通损耗、小封装、逻辑电平驱动、稳定供货四大硬性要求。 过往行业大量使用的 20V 双 N 沟道器件 AO8820，常面临交期波动、采购成本上浮等供应链难题。深耕功率半导体领域的本土厂商杰盛微（JSMSEMI），依托自研高密度沟槽 Trench 工艺，推出同源规格国产型号JSM8820
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    08/18 10:55
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