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LDO

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LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。

LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。收起

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    上文介绍了LDO是工作在恒流区（饱和区）的，DS之间有一定的压差，dropout voltage主要指的就是这个压差，所以LDO若想稳定工作在饱和区，输入输出之间必须满足这个压差，应用中可以考虑把datasheet中的数据预留25%的余量。比如图2-24 某LDO在Iout=150mA时，LDO不同的输出Vout对应的VDO也不同，Vout越大，需要的VDO就越小，这可以从图2-16 找到解释，当输入电压Vi(对应MOS的VD)和输出电流不变时，Vout越大那么也就是MOS的VDS越小(VDS=VDO=Vi-VO)，则VDO也就越小。
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    《硬件设计指南 从器件认知到手机基带设计》解析：1300字，NMOS LDO原理！
    图2-16是一个NMOS LDO的基本框图，在1.4节中已经介绍了NMOS特点，在开关结构电源中MOS是工作在开关状态，在LDO电源中MOS工作在饱和区，注意：LDO一定是工作在饱和区（特殊情况会在可变电阻区），所以VG要大于VS，因此NMOS LDO除了有Vi引脚，一般还会有个Vbias引脚来给MOS的G极提供高压驱动源；或者只有一个Vi，而LDO内部集成了CHARGE BUMP (电荷泵)来为G极提供高压驱动源。
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