MOS管

• 横河700924差分探头测量MOS管Vds

  深圳市科瑞杰科技有限公司-在开关电源测试时如何使用探头的问题，主要集中在探头参数的解读、不同电压探头测试MOS管Vds的尖峰电压会有不同的测试结果等等，本文就这些实测问题进行解答。 使用差分探头700924测量MOS管Vds，虽然开关波形频率只有几十KHz，但尖峰部分的震荡频率超过10MHz，客户查看了我们产品规格书中Input voltage derating 图表。 虽然700924规格是14

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  01/20 08:42

  MOS管 频率
• MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就“歇菜”？

  MOS管作为电源设计和驱动电路中的重要组件，因其高输入电阻和低栅源极间电容特性，使其易于遭受静电击穿。静电击穿分为电压型和功率型两种方式，其中电压型击穿涉及栅极薄氧化层击穿，而功率型则涉及金属化薄膜铝条熔断。现代MOS管，特别是大功率VMOS，通常配备二极管保护，有效降低静电击穿风险。静电放电形成的短暂大电流会导致局部过热，进而可能导致PN结短路或器件失效。静电对MOS管的危害表现为吸附灰尘、绝缘层破坏或过热损伤，且具有随机性。为了预防静电损害，应采取措施如使用金属容器包装、良好接地、穿戴防静电衣物等。同时，合理设置栅极电阻，既能提供偏置电压又能起到泻放电阻作用，保护MOS管免受静电干扰。

  时科

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  01/16 13:47

  MOS管
• MOS管开关时的米勒效应！

  米勒平台是MOSFET栅极驱动过程中的一种现象，表现为在MOSFET开通初期，Vgs电压上升缓慢并形成平台。这是由于米勒效应导致的，即栅极电容Cgd在MOSFET开通瞬间通过漏极电容Cds进行充电，造成Vgs电压上升延迟。这种现象会导致开通损耗增加，并影响MOSFET的开关速度。为了减小米勒效应的影响，通常会在栅极和源极间添加额外电容，但这样做会延长开关时间。

  时科

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  01/13 09:26

  MOSFET MOS管
• 12.6V三节锂电池2A降压充电芯片PL7322内置MOS管

  一、产品概述 PL7322是一款专为三节串联锂离子电池设计的高效充电电路，采用700KHz固定频率的同步降压型转换器技术，实现了高达95%以上的充电效率，同时发热量极小，确保了充电过程的稳定性和安全性。 二、核心特性 高效充电： 700KHz固定开关频率，优化充电效率。 输出效率高达95%以上，减少能量损失。 最大支持5A输出电流，满足快速充电需求。 精准控制： 预设6V充电电压，精度达到±1.0

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  2025/12/08

  锂电池 MOS管
• 为什么MOS管要并联个体二极管，有什么作用？体二极管的原理

  原文来自我的原创书籍《硬件设计指南 从器件认知到手机基带设计》 昨天发文介绍了MOS管，有同学留言体二极管部分没看懂，恰好我的书里有相关介绍，今天摘出分享给大家。 MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两

  工程师看海

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  2025/09/05

  MOS管
• 一文看懂威兆MOS管经典拆解案例

  前言 当今，中低压MOS在PD快充中主要应用在同步整流、输出VBUS、同步升降压、无线充电线圈驱动以及充电输入保护电路等几大场景。而随着快充技术的不断发展，充电功率不断提高，对中低压MOS管的导阻、电流承载能力等要求也将不断提升，以满足更高功率快充的需求。而威兆很早便针对PD快充特点针对性推出了各类中低压MOS，满足厂商的多元化需求。 充电头网通过整理2025年度上半年拆解数据，发现威兆旗下中低压

  充电头网

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  2025/09/04

  MOS管

  
• 共栅极架构LNA

  在分析共栅极架构(CG)的LNA前，需要先回顾一下共栅架构MOS管的输入阻抗，输出阻抗和电压增益的推导过程。 具体可以看MOS管的三种基本电路。 共栅拓扑结构的电压增益，输入电阻和输出电阻的推导如下图。 如果考虑沟道调制效应，则又变成： 从上述推导，可以知道，共栅架构的输入阻抗很小，这使得其很容易达到50ohm。 不过，RD一方面为偏置电阻，另一方面又是增益的一部分；而作为增益的一部分，希望它越大

  加油射频工程师

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  2025/06/30

  MOS管
• N管15V10场效应管 电源点烟器/磁吸灯NMOS管HC070N10L 100V15A

  产品优势： 强劲功率处理： 额定 100V 漏源电压 (Vds) 和 15A 连续漏极电流 (Id)，应对中小功率开关电源、电机驱动、负载开关等应用。 低压高效驱动： 专为 5V逻辑电平 优化设计！Vgs(th)低，增强型，在 Vgs=4.5V 时即呈现 低的导通电阻 (Rds(on))。这意味着： 可直接由单片机、逻辑电路（3.3V/5V系统）高效驱动，无需复杂电平转换。显著降低导通损耗，提升系统效率，减少发热。 可靠性： 100% 雪崩测试 (UIS

  东莞市惠洋科技有限公司

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  2025/06/30

  MOS管
• 南芯科技推出内置MOS管的高集成度升降压充电芯片

  南芯科技（证券代码：688484）宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911，该芯片配备 I2C 接口，专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化，可有效降低外壳温升，为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能，兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、自动终止等多种模式，助力客户实现更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。

  与非网编辑

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  2025/03/21

  pcb SoC

  
• 从焊接虚焊到静电击穿：MDDMOS管安装环节的问题

  在电子制造中，MDDMOS管的安装环节暗藏诸多风险。某智能手表产线因焊接虚焊导致30%的MOS管失效，返工成本超百万。本文MDD通过典型故障案例，剖析安装过程中的五大核心问题，并提供系统性解决方案。 一、焊接虚焊：IMC层的致命缺陷 案例：某无人机电调批量出现MOS管功能异常，X射线检测显示焊点空洞率达25%。 机理分析： 焊接温度曲线偏差（峰值温度未达235℃），导致锡膏与铜层间未形成均匀的IM

  MDD辰达半导体

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  2025/03/07

  焊接 MOS管

  
• 驱动电路设计踩坑录：MDDMOS管开关异常的诊断与修复

  在电力电子系统中，MDDMOS管的开关异常往往导致效率骤降、EMI超标甚至器件损毁。某新能源汽车OBC模块因驱动波形振荡引发MOS管过热，导致整机返修率高达15%。本文结合典型故障案例，剖析驱动电路设计中的四大关键陷阱，并提供系统性解决方案。 一、栅极振荡：探针引发的“假故障” 故障现象： 某变频器驱动波形实测时出现20MHz高频振荡，但上机后MOS管温升异常。 根因分析： 传统探针接地线过长（&

  MDD辰达半导体

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  2025/03/06

  电路设计 MOS管

  
• MOS管发烫严重：从散热设计到驱动波形的优化实战|MDD

  在电机驱动、电源转换等场景中，MDDMOS管严重发热是工程师面临的常见挑战。某工业伺服驱动器因MOS管温升达105℃，导致系统频繁触发过温保护。本文通过解析发热机理，结合实测数据，提供从散热设计到驱动优化的系统性解决方案。 一、发热根源：损耗模型的精准拆解 MOS管发热本质是能量损耗的累积，主要包含： 导通损耗：P=IMsxRs(o)xD， 某50A电机驱动案例中，Rds(on)=5mΩ，占空比D

  MDD辰达半导体

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  2025/03/05

  电机驱动 MOS管

  
• MOS管选型十大陷阱：参数误读引发的血泪教训MDD

  在电力电子设计中，MOS管选型失误导致的硬件失效屡见不鲜。某光伏逆变器因忽视Coss参数引发炸管，直接损失50万元。本文以真实案例为鉴，MDD辰达半导体带您解析MOS管选型中的十大参数陷阱，为工程师提供避坑指南。 一、VDS耐压虚标：动态尖峰的致命盲区 误读后果：某充电桩模块标称650V耐压MOS管，实际测试中因关断尖峰达720V导致批量击穿。 数据手册陷阱：厂家标称VDS为直流耐压值，未考虑动态

  MDD辰达半导体

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  2025/03/04

  MOS管 芯片选型

  
• MOS管莫名烧毁？5大元凶与防护方案深度解析MDD

  在电子系统设计中，MOS管烧毁是工程师常遇的棘手问题。MDD辰达半导体在本文结合典型失效案例与工程实践，深度解析五大核心失效机理及防护策略，为电路可靠性提供系统性解决方案。 一、过压击穿：雪崩能量的致命威胁 过压是MOS管烧毁的首要元凶，常见于电源浪涌、感性负载关断时的电压尖峰。当漏源电压（VDS）超过额定耐压时，雪崩击穿瞬间产生焦耳热，导致芯片局部熔融。例如，某共享充电宝主板的MOS管因未配置T

  MDD辰达半导体

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  2025/03/03

  浪涌防护 MOS管

  
• MOS管在不同电路中有什么作用

  MOS管，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是电子电路中非常重要的一种元件。它在不同电路中具有多种作用，以下是MOS管在不同电路中的具体作用： 一、作为开关 MOS管最常用的功能之一是作为电子开关。在数字电路中，MOS管可以非常快速地在导通（ON）和截止（OFF）状态之间切换，实现信号的逻辑控

  无锡迪仕科技

  2014

  2025/01/10

  MOS管
• 提升MOS管驱动电路抗干扰性能

  不管什么电路，抗干扰能力都是它的一个重要指标，对于MOS管驱动电路更是如此。因为MOS管不是工作在一个理想的没有任何电磁干扰的环境，在一些电磁环境恶劣的条件下，如果我们的驱动电路设计的不尽合理，可能会出现MOS管误打开或者非受控关断，轻则影响性能，重则会对用户造成伤害。

  深圳其利天下技术开发——无刷电机/伺服电机驱动

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  2024/11/20

  MOS管 驱动电路
• 三极管和MOS管有什么区别

  三极管和MOS管是电子电路中常见的两种元器件，它们各自具有独特的特点和用途。以下是三极管和MOS管的主要区别： 一、控制方式不同 三极管：是电流控制型器件。三极管的导通需要在其基极（b极）提供电流，才能使发射极（e极）和集电极（c极）之间导通。流过ce之间的电流与b极电流的关系是Ib*β=Ice，其中β称为三极管的放大倍数。 MOS管：是电压控制型器件。MOS管的导通需要提供一定的栅源电压（Vgs

  无锡迪仕科技

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  2024/11/15

  三极管 MOS管

  
• 解锁MOS管：温度估算不再烧脑~

  温度是影响MOSFET寿命的关键要素之一，为防止过热导致的MOS失效，使用前进行简单的温度估算是必要的。MOS管发热的主要原因是其工作过程中产生的各种损耗，能量不会凭空消失，损失的能量最终会通过转变为热量被消耗掉，损耗越大发热量也随之越大。在MOSFET开启的过程中随着

  朱有鹏

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  2024/08/08

  MOSFET MOS管

  
• 反激式电源为什么上电最容易烧MOS管？

  这篇文章总结一下最近在研究的反激电源RCD吸收回路和VDS尖峰问题。这也是为什么MOS管在开机容易被电压应力击穿的原因。下图是反激电源变压器部分的拓扑。

  大话硬件

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  2024/08/05

  反激式电源 MOS管

  
• 首届“萨科微”杯厂BA篮球联赛圆满举办

  无篮球，不夏天！今年夏天，「首届“萨科微”杯厂BA篮球联赛」火热开场！本届赛事是由德益会智造 SK厂BA篮球馆承办，Slkor萨科微半导体冠名赞助！自7月5日晚的开幕式至7月16日晚的颁奖闭幕式，这期间德益会智造队等11支球队奋力拼搏，秉持“友谊第一，比赛第二”的赛事精神，用汗水、激情和活力倾力奉献了29场精彩纷呈、亮点不断的赛事！Slkor萨科微总经理宋仕强先生出席开幕式，期间多次到场观赛助战，

  北斗专家宋仕强

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  2024/07/19

  元器件 MOS管

  

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