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常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料

常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料收起

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  • 产品越来越快，产线不该越来越慢——解构 UFS 4.1 高阶存储时代的「烧录降速瓶颈」
    导语 当终端消费者在为 UFS 4.1 带来的极速开机与无缝读写欢呼时，电子制造服务（EMS）的量产现场却正笼罩在阴霾之中。存储协议的跨代演进与固件（Firmware）容量的几何级数翻倍，正在无形中拉长单颗芯片的烧录时间。这个曾经在 SMT 流水线上被忽视的「隐形工位」，如今正演变成制约整条产线吞吐量（Throughput）的致命瓶颈。面对原厂涨价与产线降速的双重夹击，制造业急需一场底层架构的技术
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    07/16 11:48
    半导体 SMT
  • 罗彻斯特电子携手Qorvo保障射频元器件长期稳定供应
    半导体全周期解决方案提供商——罗彻斯特电子（Rochester Electronics, LLC）与全球领先的连接与电源解决方案提供商Qorvo®达成全球分销协议。此次合作将大幅提升全球客户获取Qorvo射频与电源高性能半导体解决方案的便捷性，重点聚焦供应长期稳定性及全生命周期支持服务。 罗彻斯特电子兼具半导体许可制造商与授权代理商的独特定位，凭借这一优势，将为Qorvo延长其产品的供应周期，以满
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    07/16 09:53
    半导体 Qorvo
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  • MEMS 传感器沟槽刻蚀、薄膜厚度与台阶高度测量，采用白光干涉仪检测
    摘要 微机电系统传感器（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）制备过程中，沟槽刻蚀形貌、薄膜沉积厚度、多层结构台阶高度，是决定器件力学与电学传感性能的核心工艺指标。传统扫描电镜（Scanning Electron Microscope, SEM）仅支持二维形貌成像，无法获取立体尺寸数据；探针式轮廓仪（Contact Profilometer）属于接触式检测设
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    07/15 14:55
    半导体
  • 长鑫科技IPO：几个值得关注的硬核事实
    2026年7月16日，长鑫科技在科创板开始申购。发行价8.66元/股，对应市值约5792亿元，募资总额上限666亿元，是科创板史上第二大IPO，仅次于中芯国际。这家公司2016年成立，去年还在亏损，今年上半年净利润预计超过500亿。 长鑫科技是什么 长鑫科技做的是DRAM，也就是动态随机存取存储器，是国内唯一能量产DRAM的厂商。2026年上半年预计营收1100-1200亿，同比增长612%-67
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    半导体 三星
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  • FT阶段UFS烧录设备的选型标准：速度优先还是稳定性优先？
    前言 在 UFS 4.1 时代，量产车间和测试厂常面临一个棘手的现象：同一批次的高速闪存芯片，在不同的自动烧录主机或测试板上，其良率与写入吞吐量表现出显著的物理性差异。随着 MIPI M-PHY 5.0 HS-G5（Gear 5）单通道速率飙升至 23.2 Gbps，数据密度的指数级增长使得原厂与集成商对测试成本和失效分析变得极度敏感。在封装后测试（FT）阶段的烧录环节中，究竟应当盲目压榨物理层链
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    半导体 汽车电子

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