第三代半导体

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。收起

查看更多
  • 比肩存储,韩国盯上功率半导体
    韩国政府启动“超级创新经济项目”,投入5000亿韩元专项攻关下一代功率半导体技术,将其定位为核心战略产业。面对全球功率半导体市场涨价潮,国际头部大厂纷纷上调价格,反映供需紧张。功率半导体因在新能源汽车和AI产业中的关键作用而备受关注,特别是第三代半导体(SiC和GaN)因其优越性能受到重视。韩国希望通过发展本土功率半导体产业,增强供应链安全性并抢占未来发展先机。
    比肩存储,韩国盯上功率半导体
  • 一边龙头倒下一边多点落地,第三代半导体走到哪一步?
    第三代半导体其实是一个更靠材料学分类的术语,按照禁带宽度这个理化指标定义的。但在真实商战语境里,大家聊的还是那两员老将:碳化硅(
    一边龙头倒下一边多点落地,第三代半导体走到哪一步?
  • SiC Fabless:死在黎明前
    2022年的江州,最不缺的就是风口神话。第三代半导体的浪潮席卷全城,碳化硅三个字被资本镀上金身,人人都在谈论国产替代、弯道超车、千亿赛道。写字楼的每一盏通宵灯火里,都藏着一夜暴富的野心,和被泡沫吹起来的虚妄希望。
    SiC Fabless:死在黎明前
  • 3家三代半及相关企业IPO获新进展
    国内第三代半导体及相关企业加速推进上市进程,基本半导体三次递表冲击港股IPO,华太电子科创板IPO获受理,永志半导体北交所辅导验收通过。市场需求推动下,碳化硅IDM、射频功率器件、半导体封装材料三大环节齐头并进,国产替代空间持续扩大。
  • 国产分立器件出海样本:MDD辰达半导体十八年进阶之路
    日本富士经济发布报告显示,2025年全球功率半导体市场规模将达到37550亿日元,预计至2035年增至73495亿日元,十年间接近翻倍。第三代功率半导体(碳化硅、氮化镓)增速迅猛,预计从2025年的5368亿日元增长至2035年的25077亿日元,年均复合增长率超过16%。国内市场方面,尽管基础品类价格战激烈,但士兰微、比亚迪半导体等中国企业逐渐进入全球功率器件Top10榜单,显示出国产厂商在高端领域的崛起。
    国产分立器件出海样本:MDD辰达半导体十八年进阶之路