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第三代半导体

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第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。收起

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  • 战火一燃，国产半导体又要渡劫了！
    中东炮火引发全球供应链危机，特别是第三代半导体面临严重挑战。氖气供应中断导致晶圆厂停工风险增加，而第三代半导体因高能耗和物流依赖，抗冲击能力较弱。即使有订单转移，供应链不稳定也会使企业陷入困境。面对危机，第三代半导体企业需要加强供应链韧性，提高良率，确保长期发展。
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    2月25日，香港特区政府财政司司长陈茂波在立法会发表《2026至2027财政年度政府财政预算案》时宣布，香港微电子研发院第三代半导体芯片技术研发与试产中试线将于2026年内投入运作。
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  • 第三代半导体行业有哪些新方案值得关注？这篇文章带您深度解析
    第三代半导体，尤其是氮化镓和碳化硅，因其在效率、功率密度、高频特性和高温可靠性方面的显著优势，正在电源领域发挥巨大作用。各大厂商纷纷推出基于GaN和SiC的新方案和参考设计，覆盖数据中心、电机驱动、PFC、电源适配器等多个应用场景。这些方案展示了氮化镓技术在提高能源利用效率和系统性能方面的能力，预示着第三代半导体将在更多高能耗领域得到广泛应用。
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