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常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料
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光电融合加速:从晶圆厂视角看中国半导体生态的机遇与挑战
近些年,伴随本土半导体产业的跨越式发展,中国本土晶圆厂也迎来了加速崛起与成长的新阶段。与过去依赖引进整条产线、跟随式发展的模式不同,这一批新创晶圆厂呈现出鲜明的特点:创始团队通常出身于国际或国内头部大厂,具备深厚的技术沉淀与产业视野,他们更懂得如何在高壁垒、高投入的半导体制造领域中找到差异化突破口,而非简单复制成熟工艺路线。广州增芯科技有限公司(以下简称“增芯科技”)便是这股浪潮中的代表性企业之一
高扬
745
12小时前
半导体
边缘计算
提前规避 SMT 贴片焊接缺陷(Welding Defect),光学 3D 轮廓仪检测 BGA 锡球
在SMT(Surface Mounted Technology,表面贴装技术)量产制程中,BGA(Ball Grid Array,球栅阵列)封装器件凭借小型化、高集成优势广泛应用于高端电子设备,但因其引脚密集、焊点内置隐蔽的结构特性,是制程中焊接缺陷(Welding Defect)的高发载体。据半导体封装行业公开质控数据显示,BGA锡球表面平整度偏差是引发虚焊、空焊、贴片短路、接触不良等核心不良问
eefocus_4231920
169
06/10 15:54
半导体
光学 3D 轮廓仪精准测量 BGA 锡球共面度(Coplanarity),全面提升芯片 SMT 焊接
在芯片SMT(Surface Mount Technology,表面贴装技术)量产制程中,BGA(Ball Grid Array,球栅阵列)锡球共面度(Coplanarity)是管控焊接质量的核心指标,检测标准严格遵循JEDEC JESD22-B108行业规范。BGA锡球阵列高度偏差超标,会直接引发虚焊、桥连、接触不良等缺陷,大幅降低焊接良率(Welding Yield),制约高端半导体封装的量产
eefocus_4231224
275
06/08 15:25
半导体
超临界 CO₂设备密封平面度工艺质控及光学轮廓测量技术应用
超临界二氧化碳(Supercritical CO₂, scCO₂)设备长期服役于高温高压严苛工况,密封端面平面度(Sealing Flatness)是保障设备气密性、杜绝介质泄漏的核心工艺质控指标。传统检测依托塞尺、百分表等接触式检测方式,易损伤精密密封面,且无法识别微米级微观形变,难以匹配高压设备高精度装配要求。 光学轮廓测量技术(Optical Profilometry)凭借非接触、超高精度特
eefocus_4231974
203
06/08 15:13
半导体
新施诺首发国产50kg重载PLP OHT产品,助力先进封装关键设备自主可控
苏州新施诺首发全新自主研发的50kg重载PLP OHT(Panel Level Package Overhead Hoist Transport板级封装天车),面向板级封装工厂提供高洁净、高精度、高可靠性的自动化搬运解决方案。 作为国内首次实现PLP OHT从设计、制造到产线交付的企业,新施诺此次发布的产品不仅填补了公司在大载荷产品线的空白,也标志着中国在下一代半导体先进封装物流设备领域迈出关键一
与非网编辑
369
06/08 11:36
半导体
AI芯片
白光干涉仪(White Light Interferometer, WLI)高精度表征下超薄薄膜(U
一、研究背景 超薄薄膜构件(Ultra-thin Film Component)是微纳光学、半导体封装(Semiconductor Packaging)、柔性电子(Flexible Electronics)核心功能单元,镀膜(Coating)、磁控溅射(Magnetron Sputtering)、干法刻蚀(Dry Etching)等制程易生成纳米级缺陷:膜厚梯度偏差、微孔缺陷、薄膜褶皱、界面分层、
eefocus_4231730
219
06/06 15:31
半导体
USI 白光扫描:透明金属叠层结构微纳形貌失真原理溯源(USI White Light Scanni
本文依据白光干涉仪官方技术手册、半导体微纳检测国标规范及《光学学报》《激光与光电子学进展》公开核心研究成果,聚焦半导体透明介质/金属基底叠层微纳结构,溯源USI通用扫描干涉算法的形貌失真机理,客观界定绿光光源硬件技术边界,系统梳理WLI白光干涉技术针对叠层结构的失真优化原理,全文数据、机理、结论均为公开可检索、可复现内容,无虚构推演与AI编造内容。 一、USI算法官方定位与固有技术取舍 依据商用白
eefocus_4232321
263
06/05 10:51
半导体
英飞凌为 NVIDIA Jetson Thor 提供认证的 TPM 解决方案,
英飞凌科技股份有限公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)今日宣布, 其 OPTIGA™ 可信平台模块(TPM)SLB 9672 已集成至 NVIDIA(英伟达)Jetson Thor 平台。该硬件级安全解决方案可安全存储加密密钥,并在芯片层级验证系统完整性,为物理 AI 系统构建经过认证且具备量子韧性的信任根(root of trust)。这项集成将强化信息安全基础,使机器人与
与非网编辑
290
06/05 07:04
半导体
英飞凌
白光干涉仪在钙钛矿光伏激光划线工艺的精密测量应用
一、钙钛矿光伏激光划线死区损耗痛点 钙钛矿光伏组件规模化量产中,P1-P2-P3激光划刻工艺形成的沟槽区域为电池发电死区,仅承担电路隔离与导通作用,无光电转换能力,是制约组件几何填充因子与光电转换效率的关键工艺损耗环节。 激光沟槽加工精度直接决定死区损耗大小:沟槽过深会损伤底层导电基底,引发漏电问题;沟槽过浅则无法完全剥离功能膜层,导致电路串联导通不良,大幅增加组件功率损耗。同时,沟槽深度偏差、侧
eefocus_4231904
179
06/04 15:57
半导体
MEMS 芯片表面粗糙度 (Surface Roughness) 超标,白光干涉仪优化制程提升器件性
MEMS 芯片表面粗糙度直接决定器件摩擦损耗、电学稳定性与传感精度,晶圆研磨、薄膜沉积、干法刻蚀、湿法清洗工序中,抛光压力波动、沉积速率失稳、刻蚀残留颗粒、腔体洁净度不足,均会造成 Ra/Rz 粗糙度超标,衍生微划痕、微孔、局部凸起缺陷,诱发器件零位漂移、传感噪声抬升、微结构过早磨损等不良问题。传统接触式粗糙度仪易划伤微米级 MEMS 梳齿结构,二维显微设备无法量化三维微观起伏,难以精准锁定制程隐
eefocus_4231214
267
06/04 14:59
半导体
基于光学3D轮廓仪深度标定优化光伏激光划线与光电转换效率研究
摘要 光伏、钙钛矿等薄膜光电器件激光划线深度偏差会诱发基底损伤、薄膜残留、断路等缺陷,直接制约器件光电转换效率提升。传统二维测量、人工抽检无法实现微纳划线深度精准质控。本文依托大视野 3D 白光干涉光学轮廓仪(下称 3D 轮廓仪),基于白光干涉非接触测量原理完成划线深度纳米级标定,以实测标定数据迭代优化激光功率、扫描速率等工艺参数,消除划线制程缺陷,提升器件结构一致性与光电转换效率;设备凭借大视野
eefocus_4231681
215
06/04 14:50
半导体
博通业绩大涨却遭“用脚投票”
“业绩涨,股价跌”,这出看似违背市场常识的戏码,再一次在芯片巨头博通身上上演。 美东时间6月3日盘后,博通发布了其2026财年第二财季的财报。虽然各项核心数据打破了市场纪录,但这依然没能阻止其在盘后交易中一度暴跌超过10% 。对于这家被视为“英伟达最强挑战者”的AI芯片巨头,市场为何给出如此极端的反应? 一份“无可挑剔”的当下业绩 单从财报数据来看,博通交出的答卷堪称惊艳,甚至可以说是其近年来最好
曹顺程
1492
06/04 08:15
AI
半导体
基于白光干涉仪的超薄薄膜微观形貌表征及晶圆检测应用研究
一、超薄薄膜加工工艺检测痛点 超薄薄膜构件是微纳光学、半导体封装、柔性电子器件的核心功能结构,其镀膜、溅射、刻蚀等精密工序易产生纳米级形貌缺陷,主要包含膜厚梯度偏差、微孔洞、局部褶皱、界面分层、微观粗糙度超标等问题。此类纳米级缺陷无法被常规光学显微镜、探针设备全面精准检测,极易造成器件光学透射、反射性能衰减及结构可靠性失效,是精密薄膜加工工艺优化的关键难点。 传统单点抽样检测模式还存在漏检、误检缺
eefocus_4231769
335
06/03 17:27
半导体
MEMS芯片薄膜厚度异常的白光干涉仪溯源检测及晶圆工艺隐患解决
薄膜厚度均匀性是决定MEMS芯片电学、力学性能稳定性的关键工艺指标。晶圆制备过程中,薄膜沉积、蚀刻、基材预处理等工序的参数波动,易造成膜厚偏差、局部厚薄不均等批量异常。传统接触式测量方式易损伤芯片微结构,且无法实现全域数据采集与工艺溯源,难以适配高精度MEMS器件检测需求 大视野3D白光干涉仪具备非接触、亚纳米级测量精度与全域三维形貌扫描能力,可精准量化薄膜厚度偏差、定位异常区域,为工艺溯源提供精
eefocus_4231224
244
06/03 11:48
半导体
第三届“创芯海门”发展大会圆满落幕 聚焦半导体产业新生态
当前,集成电路作为支撑数字经济发展的核心产业,正成为推动科技创新、产业升级和区域经济高质量发展的重要引擎。顺应新一轮产业变革趋势,海门积极抢抓长三角一体化发展机遇,加快半导体产业布局,推动创新链、产业链和资金链深度融合,不断夯实区域产业基础。 5月28日,2026第三届“创芯海门”发展大会在张江科学会堂成功举办。大会聚焦半导体产业新趋势、新技术与新生态,汇聚行业协会、头部企业、投资机构及产业链上下
与非网编辑
480
06/02 16:27
人工智能
半导体
MEMS结构台阶高度偏差的白光干涉仪干法刻蚀制程排查研究
台阶高度是MEMS微结构核心尺寸参数,直接决定微悬臂梁、传感腔体等结构的装配精度与使用性能。干法刻蚀作为MEMS晶圆制备核心制程,腔体真空度、射频功率、气体流量的细微波动,会引发刻蚀速率偏移,产生台阶高度偏差、形貌畸变等工艺问题[1]。传统卡尺、探针测量精度不足,且易损伤微细结构,无法满足纳米级制程检测需求。 大视野3D白光干涉仪具备非接触、高精度三维测量优势,可无损采集微结构全域尺寸与形貌数据,
eefocus_4231681
218
06/02 14:44
半导体
白光干涉仪高精度检测技术 赋能光伏激光划线与薄膜分层量产质控
一、钙钛矿电池制程质控痛点与检测需求 激光划线台阶深度是钙钛矿电池串联结构制备的核心工艺参数,直接决定膜层剥离精度与器件电学性能,是影响量产良率的关键指标。当前行业制程质控多聚焦成品性能抽检,对划线台阶深度微观数值管控存在明显短板。台阶深度偏差易引发膜层残留、层间漏电、基底损伤等缺陷,造成电池光电性能波动,制约量产良率提升。 传统检测设备无法实现纳米级台阶深度精准量化检测,难以匹配钙钛矿精密制程质
eefocus_4231883
253
06/02 14:21
半导体
英飞凌“留光驿站”亮相南京:长江沿线首个绿色低碳主题邮局落成
“点绿长江·邮约金陵”——南京长江10号主题邮局正式揭幕。英飞凌携手北京市企业家环保基金会(以下简称“SEE基金会”)、四川省绿色江河环境保护促进会(以下简称“绿色江河”)及各方合作伙伴,将共同打造长江沿线首个绿色低碳主题邮局,以光伏与储能技术赋能生态保护,落地“留光驿站”科普互动场景,推动绿色理念走进公众。 南京长江10号主题邮局位于鼓楼区下关火车主题公园,地处长江下游核心枢纽段,是长江进入长三
与非网编辑
552
06/02 14:17
半导体
英飞凌
白光干涉仪超光滑样品微观缺陷识别与晶圆检测技术应用
一、超光滑样品加工检测痛点 超光滑样品广泛应用于精密光学器件、半导体基底、激光传输元件等高端制造领域,其加工质量直接决定器件光学性能与服役寿命。样品在研磨、抛光、清洗全制程中,易产生纳米级微划痕、表面凹坑、颗粒残留、周期性波纹畸变等微观缺陷[1]。 此类缺陷尺寸微小、隐蔽性极强,传统显微检测仅可实现定性观测,无法精准量化缺陷尺寸、区分缺陷类型,难以满足高端精密制造的高精度质控需求,是行业共性技术痛
eefocus_4232322
331
06/02 14:17
半导体
微透镜表面粗糙度白光干涉解析及工艺优化方案
一、行业痛点与检测瓶颈 表面粗糙度是决定微透镜透光率、抗散射性能与成像精度的核心指标,广泛应用于半导体、精密光学领域的微透镜,多通过注塑、模压、纳米压印工艺成型。生产过程中,模具磨损、脱模剂残留、固化工艺不均、车间粉尘污染等问题,易造成透镜表面微凹、毛刺、纹理不均等缺陷,引发光线散射、透光损耗、成像模糊等光学失效问题。 传统接触式粗糙度检测设备存在明显短板,仅可检测局部线粗糙度,易划伤精密光学镜面
eefocus_4231974
213
06/02 14:15
半导体
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