碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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206966-7 | 1 | TE Connectivity | CABLE SHELL CLAMP SIZE 13 |
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$7.96 | 查看 | |
CRCW040210K0FKEDC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 10000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP |
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$0.09 | 查看 | |
BT169G,126 | 1 | WeEn Semiconductor Co Ltd | Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
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