power switch、target slack、寄生参数三问

在Innovus中，可以通过哪几种方式设置target slack？

使用 setOptMode 命令：

setOptMode 命令可用于设置全局时序优化的目标松弛时间。例如， setOptMode -opt_setup_target_slack 0.1 用于设置全局建立时间的目标松弛时间为0.1ns， setOptMode -opt_hold_target_slack -0.05 可将保持时间的目标松弛时间设置为-0.05ns。

通过 setPathGroupOptions 命令：

该命令可针对特定路径组设置时序裕量。如 setPathGroupOptions reg2reg -slackAdjustment -0.3 -early -late ，表示将reg2reg路径组的时序裕量调整为-0.3ns，同时考虑早到晚的时序情况 。

利用 setNanoRouteMode 命令：

此命令可设置布线相关的参数，也能间接影响target slack。例如 setNanoRouteMode –drouteMinSlackForWireOptimization 0.1 ，表示设置只有当setup slack大于0.1ns时，才会对布线进行优化，从布线角度对slack相关目标进行了设置 。

在StarRC等工具中，电阻（R）和电容（C）寄生参数随温度变化的转换经验公式？

电阻（R）的温度转换公式：

电阻随温度的变化主要由材料的电阻温度系数（TCR）决定，公式为：R(T) = R(T₀) × [1 + α(T - T₀) + β(T - T₀)²]

- R(T)：温度T时的电阻值
- R(T₀)：参考温度T₀（通常为25℃）时的电阻值
- α：一阶温度系数（主要项，单位：℃⁻¹）
- β：二阶温度系数（高精度场景使用，通常可忽略）

对于多数金属互连（如铜、铝），β值很小，可简化为：R(T) ≈ R(T₀) × [1 + α(T - T₀)]

电容（C）的温度转换公式：

电容的温度依赖性较弱，主要与介质材料的介电常数（ε）随温度的变化相关，公式为：C(T) = C(T₀) × [1 + γ(T - T₀)]

- C(T)：温度T时的电容值
- C(T₀)：参考温度T₀时的电容值
- γ：电容温度系数（单位：℃⁻¹，绝对值通常远小于α）

具体系数（α、γ）由工艺决定，不同工艺节点（如FinFET、CMOS）的数值需参考代工厂（Foundry）提供的工艺文件（PDK）。

- StarRC等工具会根据工艺库自动调用对应系数进行转换，无需手动计算。如果需要精确值，建议直接查阅工艺手册中的温度系数参数。

power switch在版图上的放置间距考虑哪些因素？

电流负载分布：

power switch的作用是为相邻电路提供电源，间距需确保覆盖范围内的电路能获得稳定电流。若电路单元（如row中的逻辑单元）功耗较高，间距可能需缩小；反之可适当增大。

电源完整性：

间距过大会导致电源传输路径变长，可能引发电压降（IR drop）或噪声问题，影响电路稳定性；间距过小则会增加芯片面积和成本，需在两者间平衡。

布局规则：

不同工艺节点（如7nm、14nm）的设计规则可能对power switch的最小间距有规定，需满足制造可行性。

实际设计中，间距通常根据电路的功耗密度计算，例如：

-高功耗区域（如处理器核心）可能每1-2条row放置一个power switch；低功耗区域（如缓存）可能每3-4条row放置一个，以节省面积。