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一颗MDD的MOS管,守住BMS电池安全底线

09/24 10:27
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电池管理系统(BMS)常被称为电池包的“大脑”,负责监测每一节电芯的电压与温度,在发生过充、过放、短路等异常工况时切断回路,同时对压差不一致的电芯做均衡修复,保障电池使用安全与使用寿命。

但很多研发工程师容易忽略一点:BMS的保护功能能否可靠执行,很大程度取决于电池主回路中的MOS管。MOS不只是简单的电子开关,更是BMS实现保护动作的核心执行器件。

BMS系统中MOS管的三大作用

在BMS电路里,MOS管主要承担充放电控制、电芯均衡、故障保护响应三类工作。

1、充放电控制 MOS串联在电池正极主回路,控制电池包充放电回路的通断,相当于电池和外部负载之间的总闸。

2、电芯均衡回路 当电芯之间出现电压差,均衡回路通过电阻放电把高压电芯电压拉平,避免个别电芯性能落后,造成整组电池提前报废。

3、故障保护响应 出现短路故障时,MOS需要在微秒级完成关断。如果响应延迟,芯片结温会在几毫秒内超过安全阈值,造成MOS烧毁,进一步引发系统故障。

以上应用场景,对MOS提出了综合要求:需要具备大电流承载能力、低导通损耗、快速开关特性,同时要有足够的单脉冲能量耐量EAS,各项指标缺一不可。

BMS高温工况异常,问题往往出在封装散热

在电动两轮车、小型储能设备开发过程中,常会遇到这样的现象:设备运行一段时间后出现限流保护,重启设备恢复正常,故障反复出现。拆解设备观察MOS没有明显烧毁痕迹,但导通电阻RDS(on)已经出现20%以上漂移。

故障不一定来自MOS本身品质 ,而是器件封装散热能力和实际工况不匹配。

传统TO-252封装60V MOS,内热阻RθJC约2.0-2.5℃/W。多颗并联大电流工作时,芯片和外壳温差可达60-80℃。环境温度40℃的条件下,即便壳温控制在80℃以内,芯片结温也已经接近125℃的器件上限。

TOLL大功率贴片封装,可以很好解决BMS高功率设计下的散热难题,对比TO-252封装有几方面优势:

热阻降低30%以上,更大焊盘面积优化导热路径,热量可以快速传导到PCB铜箔;

支持开尔文连接,隔离源极功率走线电感,开关速度提升约20%,开关损耗下降30%,适配高频FOC控制BMS;

封装寄生电感更低,短路保护时电压采样更贴近真实工况,保护判断更可靠。

MDD辰达半导体已实现30V-100V全电压平台TOLL封装MOS量产,各场景选型参考如下:

针对选用TO-252封装的中等功率方案,MDD同样有对应型号覆盖:

均衡MOS,容易被忽视的关键器件

均衡回路MOS工作电流一般仅几百毫安到几安培,不少项目会直接选用普通小信号MOS。但均衡MOS需要长期高频开关工作,一旦失效,电芯均衡功能直接失效。电芯压差不断累积,会造成电池包容量快速衰减。

MDD针对BMS均衡回路推出SOT-23系列专用MOS,参数如下:

除主回路MOS与均衡MOS之外,MDD辰达半导体可提供BMS整套配套元器件,实现一站式选型。

辰达半导体

辰达半导体

深圳辰达半导体有限公司是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。公司深耕半导体领域17载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。 公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的分立器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高分立器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

深圳辰达半导体有限公司是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。公司深耕半导体领域17载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。 公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的分立器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高分立器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。收起

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