辰达半导体

• MDD辰达半导体回扫型ESD，为HDMI接口提供安全防护

  在消费电子、工业控制等领域，高速接口设备的稳定性与安全性愈发关键。静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）及雷击浪涌等外部干扰，极易导致接口损坏、设备故障，造成数据丢失或经济损失 如何为这些高速、高价值的接口构建一道可靠的“防火墙”？MDD推出的的回扫型ESD保护器件，借紧凑封装与卓越性能，成为高速接口防护的优选方案。 一、为何选择“回扫型”ESD？ 不同于传统的钳位型TVS二极管，回扫型ESD器

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  03/14 10:30

  ESD HDMI接口
• 解决高频电源MOS选型痛点，MDD辰达半导体一文讲透

  随着电子产品设计趋于紧凑，电源体积缩小，提高功率密度成为关键。本文探讨了高频工作条件下MOS管的关键参数及其要求，包括电压参数（如VDS、VGS）、电流参数（如ID、IDM）、导通电阻（RDS(on)）、输入电容（Ciss）等，强调了这些参数如何影响电源效率、可靠性及成本。同时，介绍了高频开关损耗的影响因素，以及如何通过降低栅极电荷（Qg）、米勒电容（CGD）和缩短开关延迟时间来优化开关性能。此外，还讨论了热管理和封装选择的重要性，推荐使用低寄生电感的封装和知名品牌的高质量产品。最后，列举了一些高频应用场景，如户外储能、充电宝等，并推荐了一款具有低导通内阻、良好散热和高可靠性的MOS管型号。

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  03/13 07:12

  MOSFET 高频电源

  
• MDD辰达半导体低钳位高功率TVS，开启电子设备EOS防护

  EOS防护是现代电子设备的关键挑战，TVS二极管作为电路保护的重要手段，面对日益复杂的电子环境，需要具备更低的钳位电压来保护高端IC。MDD SMFXX(C)AH系列TVS凭借创新技术，实现了低钳位电压和高浪涌防护，适用于多种充电技术和电源口的全面防护，同时满足小型化要求，成为理想的电路保护选择。

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  03/13 07:12

  TVS EOS保护

  
• 电池管理系统BMS中的关键元件——MDD辰达低内阻强抗浪涌MOSFET

  BMS在储能系统中负责安全、高效、长寿的电池管理，通过实时监测并实现过充/过放、过流/短路、过温保护等功能。MDD MOSFET在储能BMS中扮演重要角色，特别是MDDG03R04Q与MDDG04R06Q两款N沟道MOSFET，它们具备低导通内阻、强大抗浪涌能力和高温稳定性，有效提高储能系统的效率和安全性，并且适合于小型化设计。这些特性使得MDD MOSFET成为储能BMS的理想选择，推动能源结构转型。

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  03/13 07:12

  MOSFET 浪涌防护

  
• 【应用】MDD品牌TO系列快恢复二极管，为充电系统提供可靠保护

  TO系列快恢复二极管（FRD）适用于开关电源、PWM、变频器等电路，具备开关特性好、反向恢复时间短的特点。产品采用环保材料，符合ROHS标准，适合高性能工业与消费电子产品。其特性包括优良传热性、高抗浪涌电流能力、低正向压降和低反向漏电流。电性参数详细列出，适用于TV电源和充电桩应用。

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  03/06 13:53

  快恢复二极管
• 新品上市|MDD82052那么小又那么大，原来是这颗MOS

  MDD8205是一款高性能双N沟道MOSFET，具备20V耐压、低导通电阻和超快开关速度，特别适用于高电流、微型化设计的智能家电和电动工具。它具有高电流承载能力、超低导通损耗、微型封装和宽温运行等特点，能够有效提升设备的效率和可靠性，并适用于多种应用场景，如便携式设备负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和LCD显示逆变器等。

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  02/28 13:54

  N沟道MOSFET

  
• MDD辰达推出大电流低内阻MOS，助力电机驱动管理系统新突破

  MDD辰达半导体推出采用先进Trench工艺的N沟道MOS——MDD100N03D，最大亮点在于极低的导通电阻和反向恢复电荷，确保高效能和低损耗。该产品经过严格测试，100%通过UIS测试，符合RoHS规范，广泛应用于电机驱动、不间断电源、直流/直流转换系统等领域，提供卓越的性能和可靠性。

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  N沟道MOSFET

  
• 充电宝频频爆雷，电路设计千万要注意这些点！

  移动电源的安全防护涉及多个方面，不仅限于电芯质量，还包括外围保护电路的设计。TVS和ESD器件在移动电源中扮演重要角色，前者用于瞬态电压保护，后者用于静电防护。合理的保护器件选型、布局优化和安全冗余设计有助于构建更安全的移动电源。消费者可通过品牌认证、标注保护功能、关注做工和注意异常发热等方式识别相对安全的产品。

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  电路设计 移动电源

  
• MDD辰达半导体|大电流高反压的电源解决方案

  MDD推出GB/D3K系列大电流整流桥，适用于电源系统、服务器电源、逆变器等领域，具备高通流能力、强浪涌能力和低正向压降，采用Photo Glass工艺和三层钝化保护，稳定且可靠。

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  02/28 07:47

  整流桥 电源解决方案
• MDDG03R01G低导通MOS跨越新领域，提升同步整流、DC-DC转换效率

  MDD全新PowerTrench系列MOSFET采用屏蔽栅技术，突破性能瓶颈。MDDG03R01G具有0.75mΩ超低导通电阻和300A持续电流能力，适用于高功率应用。其低导通电阻和低反向恢复电荷Qrr有助于提高系统效率和开关频率。产品通过100%UIS测试，具备优异的工业级可靠性，广泛应用于数据中心、工业自动化及新能源领域。

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  MOSFET

  
• MDDG03R04Q,低内阻大电流，服务器和新能源的好帮手

  MDD半导体推出全新SGT系列MOSFET，特别是MDDG03R04Q（30V N沟道增强型MOS），凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术，为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。该产品采用PowerTrench工艺，具备极低导通电阻、快速开关性能和工业级可靠性，广泛应用于服务器电源、工业驱动及新能源领域。

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  MOSFET

  
• MDD肖特基二极管凸台到焊盘距离大小的影响

  肖特基二极管的凸台到焊盘距离对焊接质量、热管理、电气性能和可靠性至关重要。过小的距离可能导致焊接不良和短路；过大则影响热传导和电气性能。理想距离需平衡焊接质量、散热效果和机械应力，以确保肖特基二极管在电源管理和通信设备中的高效稳定运行。

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  肖特基二极管
• MDD辰达半导体，推出TO系列肖特基

  MDD推出TO系列肖特基二极管，覆盖40V至200V电压和10至60A电流，具备高电流能力、低正向电压降、优异高温稳定性和低功率损耗。适用于转换器、工业电源、服务器电源和逆变器等场景。

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  02/27 14:42

  肖特基二极管
• 散热设计不良会导致 MOSFET 过热失效？MDD辰达半导体一文讲透

  一、问题背景 在电源、BMS、车载电子、电机驱动等应用中，MDD辰达半导体的 MOSFET 常年工作在大电流、高频、高环境温度条件下。很多现场失效案例中，MOSFET 本身参数选型并不低，但仍然频繁烧毁，最终溯源发现，根本原因并非器件质量，而是散热设计不良。 散热问题往往是“隐性故障”，短期测试可能正常，但在长期运行或高温环境下极易暴露。 二、MOSFET 过热失效的典型机理 1、结温持续超标 M

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  02/03 09:35

  半导体 MOSFET
• 告别充电难题，MDD 辰达半导体针对清洁电器推出分立器件解决方案

  随着生活水平的提高和智能家居概念的深入人心，清洁家电正以前所未有的速度走进千家万户。据统计，全球智能扫地机器人市场规模已超过百亿美元，在这一快速发展的市场中，产品的可靠性、安全性和智能化水平已成为消费者选择的关键因素。 一、功率传输链路:低损耗与防误触的双重设计 吸拖扫地机充电单元：器件协同与智能充电技术解析以MMBT5551、SS310、MDD30P04D、BZT52C15、SMAJ36A为核心

  MDD辰达半导体

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  01/14 16:07

  分立器件 充电
• MDD辰达半导体低钳位高功率TVS，开启电子设备 EOS 防护

  一、EOS防护：现代电子设备的核心挑战-EOS EOS（Electrical Overstress，电性过应力）是导致电子设备失效的主要原因之一，也是整个电子行业面临的一项持续挑战。EOS是指施加在器件上的电压、电流或功率超过了其最大额定承受能力，导致器件性能退化或永久性损坏。它比ESD（静电放电）的持续时间更长、能量更高，破坏性也更大。 随着芯片工艺进入纳米级，栅氧层更薄，器件对EOS的耐受能力

  MDD辰达半导体

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  2025/12/31

  TVS EOS
• 解决高频电源 MOS 选型痛点，MDD辰达半导体一文讲透 随着科技的发展,电子产品的设计越来越精致

  随着科技的发展,电子产品的设计越来越精致，电源体积要求越来越小，为满足其更高的功率密度，各种转换器拓扑的选择与电源转换技术都是提高工作频率，减小磁性器件体积，来满足整个方案的要求。但是为了提高工作频率对MOS管有哪些要求呢？ 电压参数   漏源击穿电压（VDS）：需大于电源输入电压峰值，通常留1.5-2倍余量。例如，若输入电压为24V，VDS应选48V及以上，以应对电压尖峰和波动。 栅源电压（VG

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  2025/12/11

  MOS管电路
• MDD辰达半导体荣获“国产功率器件行业优秀奖”，聚焦高效能源发展

  12月6日，亚洲电源技术发展论坛在深圳万丽酒店隆重举行。作为国内领先的半导体解决方案供应商，MDD辰达半导体携旗下六大产品矩阵精彩亮相，集中展示了整流器件、小信号器件、保护器件、MOSFET、SiC、逻辑IC产品，与行业专家、合作伙伴共同探讨电源技术发展趋势与应用实践。 一、技术交流，共谋发展 在展会现场，MDD团队与众多来访者进行了深入的技术交流，针对客户在高效电源设计、系统可靠性提升、小型化与

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  2025/12/11

  半导体 MOSFET
• MDD辰达半导体推出低内阻、强抗浪涌MOSFET，电池管理系统BMS中的关键元器件

  一、 BMS工作原理与安全机制 储能系统已成为构建新型电力系统的关键环节，而电池管理系统（BMS）在储能中承担着关键角色。 BMS的核心使命是确保电池组安全、高效、长寿。它通过实时监测电池电压、电流、温度等参数，实现三大核心保护功能： 过充/过放保护：电压超限时切断相应MOSFET回路 过流/短路保护：极短时间内（<100ms）关断放电MOSFET 过温保护：温度异常时禁止充放电操作，防止热

  MDD辰达半导体

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  2025/11/22

  bms 浪涌保护
• MDD辰达半导体防护器件，全方位防护USB充电口浪涌静电

  一、USB快充发展趋势与防护挑战 随着USB快充的发展，支持的产品种类也越来越多，比如手机、笔记本电脑、平板、电动工具、各种消费类产品乃至小型家电等高能耗设备。然而，随着功率的提升，充电口面临的浪涌和静电威胁也越来越严重，对产品可靠性提出了更高的防护要求 二、关键线路与潜在风险 充电功率从5V/3A逐步提升至36V/5A，用于充电功能的关键线路（如USB-A中的Vbus、DP、DM，以及USB-C

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  2025/11/20

  usb 浪涌防护

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