辰达半导体

• MDD辰达半导体推出低内阻、强抗浪涌MOSFET，电池管理系统BMS中的关键元器件

  一、 BMS工作原理与安全机制 储能系统已成为构建新型电力系统的关键环节，而电池管理系统（BMS）在储能中承担着关键角色。 BMS的核心使命是确保电池组安全、高效、长寿。它通过实时监测电池电压、电流、温度等参数，实现三大核心保护功能： 过充/过放保护：电压超限时切断相应MOSFET回路 过流/短路保护：极短时间内（<100ms）关断放电MOSFET 过温保护：温度异常时禁止充放电操作，防止热

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  11/22 09:39

  bms 浪涌保护
• MDD辰达半导体防护器件，全方位防护USB充电口浪涌静电

  一、USB快充发展趋势与防护挑战 随着USB快充的发展，支持的产品种类也越来越多，比如手机、笔记本电脑、平板、电动工具、各种消费类产品乃至小型家电等高能耗设备。然而，随着功率的提升，充电口面临的浪涌和静电威胁也越来越严重，对产品可靠性提出了更高的防护要求 二、关键线路与潜在风险 充电功率从5V/3A逐步提升至36V/5A，用于充电功能的关键线路（如USB-A中的Vbus、DP、DM，以及USB-C

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  11/20 08:51

  usb 浪涌防护
• MDD辰达半导体推出低内阻、高开关频率MOS管，解决车载快充的效率与温升难题

  车载快充市场是一个随着智能手机、平板电脑等移动设备普及和汽车保有量持续增长而迅速扩张的细分市场。它已经从早期的“点烟器转换头”发展成为一个技术驱动、需求多样的成熟品类。 一、 市场驱动因素 1、移动设备电量焦虑的普遍存在： 智能手机屏幕越来越大，功能越来越强，耗电速度加快，用户对“随时满电”的需求强烈。 2、汽车成为“第二生活空间”： 通勤时间变长，车内娱乐（手机导航、音乐、播客、车载视频等）和办

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  10/27 16:38

  半导体 快充
• MDD系列MOS，提升新国标电动自行车充电效率与安全性

  一、背景与政策驱动 部分电动自行车用户长期面临充电安全隐患，根源在于充电器产品缺乏强制认证标准，导致大量劣质配件通过非正规渠道流入市场，引发充电起火、电池爆炸等安全事故。为应对这一行业痛点，市场监管总局于2024年7月2日发布新规，明确自2025年11月起，电动自行车充电器及锂电池组必须通过3C认证并标注认证标志后方可出厂销售，推动行业向正规化、标准化方向发展。 二、各类充电器认证情况概览 截至2

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  09/18 17:28

  MOS 电动车充电
• MDDG10R08G的多元应用 快充 光伏 电机驱动全覆盖

  在电源管理领域，高效、可靠的功率器件是提升系统性能的关键。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合SGT屏蔽栅技术，推出全新N沟道增强型MOSFET系列产品，其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封装，符合RoHS标准，以其卓越的开关性能与低导通电阻，成为同步整流、电机驱动等应用的理想选择。 一、核心性能 1.低导通电阻，高效节能 在VGS=10V、ID=35A条件下，最大

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  07/29 10:59

  快充 电机驱动
• MDDG03R01G低导通MOS 跨越新领域 提升同步整流 DC-DC转换效率

  在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。 一、技术突破：PowerTrench工艺与屏蔽栅设计 MDDG03R01G在栅源电压 VGS = 10V、漏极电流 ID = 5

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  07/29 10:57

  转换器 DC-DC
• MDD辰达半导体-MDD8205那么小又那么大 原来是这颗MOS

  在智能家电与电动工具快速迭代的今天，高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率、功耗和可靠性。随着便携式设备、智能家居和工业自动化对功率密度和能效的要求越来越高，工程师需要更高性能的MOSFET解决方案。 一、双N沟道，为高效而生   MDD8205是一款20V双 N沟道MOS，采用

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  07/29 10:33

  半导体 逆变器
• MDD辰达半导体通过IATF 16949认证

  一、通过IATF 16949认证 近日，安徽辰达半导体有限公司与母公司深圳辰达半导体有限公司（以下合并简称“MDD辰达半导体”）共同接受了全球领先认证机构德国TÜV莱茵的IATF 16949:2016质量体系的审核，并获得德国TÜV莱茵认证机构颁发的认证证书！这标志着MDD在汽车行业质量管理领域迈上了新的台阶，为公司持续深耕汽车市场奠定了坚实基础！ 二、IATF 16949认证：车规级赛道的“通行

  MDD辰达半导体

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  07/28 16:02

  车规级

  
• 浅谈辰达MOSFET在USB PD快充电源中的应用挑战与应对

  在USB PD快充电源设计中，MOSFET作为功率控制与转换的核心器件，发挥着关键作用。随着充电功率向65W、100W甚至更高迈进，对MOSFET的性能提出了更严苛的挑战。本文将从应用挑战出发，结合FAE工程实践，分析MOSFET在USB PD快充中的关键设计要求与应对策略。 一、应用背景：MOSFET在USB PD快充中的位置 USB PD（Power Delivery）协议允许设备间进行动态电

  MDD辰达半导体

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  07/09 17:07

  PD快充 MOS
• MOSFET与IGBT的选择对比 中低压功率系统的权衡

  在功率电子系统中，MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件，广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点，适用于不同的应用场景。作为FAE，帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景，能够有效提高系统设计的效率与稳定性。本文将详细分析MOSFET与IGBT的选择对比，特别是在中低压功率系统中的权衡。 一、MOSFET与IGBT的基本原理 MOSFET工作原理： MOSFET是一种场效应管，其工作原理

  MDD辰达半导体

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  07/07 15:51

  MOS
• 并联MOSFET设计指南 均流 寄生参数与热平衡

  在现代高效电源设计中，MOSFET并联技术广泛应用于要求大电流承载能力的电路中，如电动汽车、电源供应、功率放大器等。通过并联多个MOSFET，可以大幅提高电路的电流处理能力、降低导通损耗，并增强系统的整体可靠性。然而，MOSFET并联设计并非简单的“多加几个”过程，必须考虑到均流、寄生参数与热平衡等诸多因素。本文将探讨如何在实际设计中有效应对这些挑战，优化并联MOSFET的性能。 一、并联MOSF

  MDD辰达半导体

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  07/04 10:22

  MOS
• 辰达MOSFET在DC-DC变换器中的关键作用与优化策略

  一、MOSFET在DC-DC变换器中的关键作用 开关功能 DC-DC变换器的核心工作原理是通过高频开关操作将输入直流电压转换为所需的输出直流电压。MOSFET作为开关元件，在此过程中起着至关重要的作用。MOSFET的开关频率决定了变换器的工作频率，同时它的开关速度、导通电阻（RDS(on)）和门极电荷（Qg）等特性直接影响变换器的效率和响应时间。 开关损耗控制 在DC-DC变换器中，MOSFET的

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  07/03 10:36

  MOS
• 同步整流MOSFET的设计要点与效率提升技巧

  在现代高效率电源系统中，同步整流技术已成为主流选择，尤其是在DC-DC变换器、USB快充适配器、服务器电源和车载电源等场景中。同步整流相比传统的肖特基二极管整流，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。其核心器件——MOSFET，在设计中扮演着至关重要的角色。本文将深入探讨同步整流MOSFET的选型要点和提升效率的设计技巧。 一、同步整流的基本原理 传统整流使用二极管将AC或脉动DC变换为纯直流输出，

  MDD辰达半导体

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  07/03 09:48

  MOS
• 从开关速度看MOSFET在高频应用中的性能表现

  一、MOSFET开关速度的定义与影响因素 开关速度是MOSFET在导通（开）和关断（关）状态之间的切换速度，通常以上升时间（tr）、下降时间（tf）和开关时间（ts）来描述。开关速度越快，MOSFET切换的响应时间越短，意味着更小的开关损耗和更高的工作效率。MOSFET的开关速度主要受以下几个因素的影响： 门极电荷（Qg）：门极电荷是MOSFET开关过程中的一个关键参数，直接决定了开关速度。门极电

  MDD辰达半导体

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  07/01 14:46

  MOS
• MDD快恢复整流器失效模式详解 过热 浪涌与封装问题一网打尽

  在高频开关电源、电焊机、电动工具和PFC电路中，MDD快恢复整流器因其恢复时间短、反向恢复电荷小的特性，成为工程师优先考虑的整流器件。然而，快恢复整流器并非“无懈可击”，在实际应用中仍然存在诸如过热失效、浪涌损伤及封装老化等风险。本文将深入解析快恢复整流器的主要失效模式，并提供工程应对策略。 一、过热失效：热设计不可忽视的关键 快恢复整流器的功率损耗主要来自导通压降（VF）与反向恢复期间的电荷损耗

  MDD辰达半导体

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  06/27 14:31

  整流桥
• 快恢复整流器在电动车控制器中的典型应用与热管理策略

  在电动车控制器中，功率器件的稳定性与效率直接影响整车的性能与可靠性。其中，快恢复整流器因其反向恢复时间短、切换损耗低等特点，广泛应用于PFC（功率因数校正）、逆变器、DC-DC转换以及电机驱动等环节。本文将聚焦快恢复整流器在电动车控制器中的典型应用，并探讨其热管理策略。 一、快恢复整流器的作用机理简述 快恢复整流器是一类具有短反向恢复时间（通常在几十纳秒以内）的PN结二极管。相比传统整流器，它在关

  MDD辰达半导体

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  06/26 16:25

  整流桥
• 并联与串联设计中的MDD快恢复整流器 均流与耐压怎么搞

  MDD快恢复整流器因其极短的反向恢复时间和较小的反向恢复电流，被广泛应用于PFC电路、开关电源、逆变器和新能源汽车电控系统中。在某些特殊应用场景中，为了满足更高的电流输出能力或更高的耐压要求，工程师会考虑将快恢复整流器进行并联或串联设计。但看似简单的“叠加”，实际涉及一系列电气与热学挑战，尤其是均流与均压控制问题。本文将深入剖析快恢复整流器在并联与串联应用中的关键设计技巧与注意事项。 一、为什么要

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  06/25 10:48

  整流桥
• 高频高效的关键 MDD快恢复整流器在开关电源中的核心作用

  在现代电源设计中，开关电源（SMPS）因其体积小、效率高、适应性强，广泛应用于通信设备、计算机系统、工业控制、电动工具及新能源汽车等领域。而实现高频、高效、高可靠性的开关电源设计，除了依赖于拓扑结构与主控芯片的优化外，功率器件的性能同样起着决定性作用。其中，MDD快恢复整流器作为关键续流与整流元件，在系统效率、EMI控制与热管理中扮演了不可或缺的角色。本文将系统阐述快恢复整流器在开关电源中的核心作

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  06/24 10:56

  整流桥
• 在PFC和逆变电路中使用MDD快恢复整流器 如何优化效率与EMI

  在高频电源设计与能量转换系统中，功率因数校正电路和逆变电路是提升系统性能与能效的关键单元。随着系统开关频率日益提高，传统整流器件的性能瓶颈逐渐暴露出来，特别是在反向恢复时间长、电磁干扰（EMI）严重和能量损耗大的问题上。MDD快恢复整流器作为针对这些痛点优化的产品，已成为现代PFC与逆变拓扑中不可或缺的核心器件。本文将深入探讨快恢复整流器在这两类电路中的具体作用，并剖析如何通过器件选型与电路优化来

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  06/23 17:04

  整流桥
• 双肖特基并联与整流桥一体化 适用于高功率电源的设计技巧

  在高功率电源设计中，提高系统效率、降低发热、优化布板空间是工程师必须权衡的核心目标。在整流部分，肖特基二极管因其低正向压降和快速开关特性成为首选。然而，单颗肖特基器件在承载能力或热性能上往往难以满足高电流整流需求，因此“双肖特基并联”与“整流桥一体化”的组合方案日益受到青睐。本文MDD将从原理、优势、注意事项出发，深入解析这一设计策略，助力高功率电源实现更优的性能与可靠性。 一、双肖特基并联的设计

  MDD辰达半导体

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  06/20 17:41

  整流桥

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