半导体｜美国美光提速EUV DRAM开发速度，次世代EUV DRAM竞争加剧

CINNO Research 产业资讯，美国美光科技开始提速 EUV DRAM。加入到三星电子、SK 海力士等全球第一、第二 EUV 厂商选择的 EUV 阵营后，后续 EUV 竞争或将更为激烈。

根据韩媒 etnews 报道，美光科技通过多个网站开始招聘 EUV 设备开发负责工程师。美光的公告显示：招聘负责美光 EUV 设备 Scaner 技术开发，管理 EUV 系统和与 ASML 的沟通的人才。工作地点为美光总部美国爱达荷州(Idaho)的博伊西(Boise)。

美光是继三星电子和 SK 海力士之后，以 20%的全球市占率排第三的 DRAM 厂商。本月初时美光中国台湾 DRAM 工厂还因停电一小时导致工厂停产。截止到 3 季度时较好业绩备受业界瞩目。且在 Nand Flash 领域，也率先发布了全球首款 176 层产品。

公司与其他 DRAM 厂商一样，投产 10 纳米级 3 代（1z）产品作为新品。计划明年上半年量产 4 代（1a）DRAM。

但与三星电子、SK 海力士不同，并无计划在 1a DRAM 产品上使用 EUV 技术。

最近 EUV 制程备受被称之为 IT 设备大脑的集成芯片领域的青睐，短期内有望渗透至 DRAM 其他层。但相比 ArF 制程，技术难度仍高、且设备运营费用也相对更高。

而根据美光公开的资讯显示，考虑到费用和成本、技术限制等原因，次次时代 DRAM ‘1-β’产品前并无计划采用 EUV 制程。

美光副总裁 Scott DeBoer 表示过：会分析多方面因素后，从 1-δ （10 纳米 7 代）产品开始导入 EUV 制程。

本次的招聘公告显示出公司将通过招聘精通于 EUV 技术的专家累计技术，以确保在最佳时机导入 EUV 制程的战略。 未来美光正式跨入 EUV DRAM 量产市场后，Memory 市场中 3 家竞争将更为激烈。

在 DRAM 市场占比 40%，排名第一的三星已经通过 1z 产品上导入 EUV 技术宣示技术领先差距，且计划在明年上市的 1a 产品 EUV 制程比重也是业界关注的焦点。

而 SK 海力士也正忙于明年导入 1a DRAM 的 EUV 制程。SK 海力士计划明年在京畿道黎川新 DRAM 工厂 M16 中搬入新 EUV 系统，为 EUV 技术量产而努力。