四通道高速信号线ESD防护及国产替代_电路方案

四通道高速信号线ESD防护及国产替代

USB、HDMI、MIPI、以太网口等高速差分信号接口，以及SIM卡、SD卡、TF卡等各类存储卡接口，由于频繁插拔操作，极易引入静电及浪涌干扰。因此，对这些接口实施有效的静电与浪涌防护措施十分必要。

根据不同用户电路环境和设备应用场景的要求，ESD防护二极管的参数选择亦存在差异。为此，上海雷卯EMC小哥针对不同客户的实际需求，提供多种型号参数的解决方案。其中，SOT23-6封装因其广泛应用而具有较高代表性，其封装外观与内部电路结构如下所示：

代表性应用电路如下

针对SOT23-6封装，我们共提供五类不同参数型号供客户选择，并将各型号可对应替代

的国外品牌列出对比，以供参考。

型号USRV05-4工作电压为5V，IEC61000-4-5为 5A/17A (8/20μs)：

5A 为IO口（PIN 1,3,4,6）对地（PIN 2），

17A为VCC（PIN5）对地（PIN 2）,参数及可替代型号如下：

Part Number	VRWM 反向工作电压	VBR 击穿电压	Bi/Ui 双向/单向	IR 漏电流	IPP(Max) I/O/VCC最大脉冲峰值电流	Vcmax@Ipp(I/O) 最高钳位电压	Cj 结电容	ESD(Air) 空气静电防护力	ESD(Contact)接触静电防护力
USRV05-4 (雷卯Leiditech）	5V	6V	Ui	0.5μA	5A/17A	15V@5A	0.6pF	±20KV	±20KV
SRV05-4L （美微科MCC）	5.5V	6V	Ui	1μA	5A/12A	17.5V@5A	1.5pF	±15KV	±8KV
SRV05-4C （美微科MCC）	5.5V	6V	Ui	0.5μA	4.5A/17A	14V@5A	0.6pF	±20KV	±15KV
USBLC6-4 (意法半导体ST）	5V	6V	Ui	0.1μA	5A/X	17.0V@5A	3.0pF	±15KV	±15KV
SRV05-4.TCT (升特Semtech)	5V	6V	Ui	5μA	5A/12A	17.5V@5A	3.0pF	±15KV	±8KV
PJSRV05-4 ( 强茂Panjit)	5V	6V	Ui	1.2μA	5A/12A	17V@5A	1.1pF	±15KV	±8KV
SRV05-4 （安森美-ONSEMI)	5V	6V	Ui	5μA	5A/12A	17.5V@5A	3.0pF	±30KV	±30KV
SRV05-4M （Protek Devices)	5V	6V	Ui	5μA	5A/20A	14V@5A	4.5pF	±15KV	±8KV
SRV05-4M（Diotech)	5V	6V	Ui	5μA	5A/12A	17.5V@5A	3.0pF	±15KV	±8KV

Leiditech雷卯USRV05-4可以替代 MCC美微科SRV05-4L 、SRV05-4C ， ST 意法半导体USBLC6-4，HDMIULC6-4SC6. Semtech 升特 SRV05-4.TCT， Panjit 强茂 PJSRV05-4， ONSEMI 安森美SRV05-4，Protek Devices SRV05-4M， Diotech SRV05-4M。

型号SRV05W4工作电压为5V，IEC61000-4-5为 12A (8/20μs)：

12A 为IO口（PIN 1,3,4,6）对地（PIN 2），参数及可替代型号如下：

Part Number 型号及品牌	VRWM 反向工作电压	VBR 击穿电压	Bi/Ui 双向/ 单向	IR 漏电流	IPP(Max) I/O最大脉冲峰值电流	Vcmax@Ipp(I/O) 最高钳位电压	Cj 结电容	ESD(Air)/(Contact)空气接触防静电能力
SRV05W4 (雷卯Leiditech）	5V	6V	Ui	0.5μA	12A	25V@12A	1.5pF	±30KV/±30KV
SRV05-4HTG-D （力特 Littelfuse）	5V	6V	Ui	1μA	10A	15V@12A	1.0pF	±30KV/±30KV
SRV05-4 （威伦 Willas)	5V	6V	Ui	5μA	12A	30V@12A	3.0pF	±15KV/±8KV

Leiditech雷卯SRV05W4 可以替代 Littelfuse力特， Willas 威伦 SRV05-4。

型号SRV05-4W工作电压为5V，IEC61000-4-5为 25A (8/20μs)：

25A 为IO口（PIN 1,3,4,6）对地（PIN 2），参数及可替代型号如下：

Part Number 型号及品牌	VRWM 反向工作电压	VBR 击穿电压	Bi/Ui 双向/单向	IR 漏电流	IPP(Max) I/O最大脉冲峰值电流	Vcmax@Ipp(I/O) 最高钳位电压	Cj 结电容	ESD(Air) /(Contact)空气接触防静电能力
SRV05-4W (雷卯Leiditech）	5V	6V	Ui	1μA	25A	20V@25A	3pF	±30KV/±30KV
PSRV05-4 (美微科MCC）	5.5V	6V	Ui	1μA	25A	20V@25A	4pF	±15KV/±8KV

Leiditech 雷卯SRV05-4W可以替代MCC 美微科PSRV05-4 。

型号SRV05-4LV工作电压为5V回扫型，IEC61000-4-5为 25A/38A (8/20μs)：

25A 为IO口（PIN 1,3,4,6）对地（PIN 2），

38A为VCC（PIN5）对地（PIN 2）,参数及可替代型号如下：

Part Number 型号及品牌	VRWM 反向工作电压	VBR 击穿电压	Bi/Ui 双向/单向	IR 漏电流	IPP(Max) I/O和VCC最大脉冲峰值电流	Vcmax@Ipp(I/O 最高钳位电压	Cj 结电容	ESD(Air) /(Contact)空气接触防静电能力
SRV05-4LV (雷卯Leiditech）	5V	6V	Ui	0.5μA	25A/38A	13V@25A	1.3pF	±30KV/±30KV
CDSOT23-SRV05-4 (伯恩斯 Bourns）	5V	6V	Ui	5μA	5A/30A	15V@5A	3.5pF	±30KV/±30KV
SRV05-4 （Protek Devices)	5V	6V	Ui	5μA	5A/30A	15V@5A	3.5pF	±25KV/±25KV

Leiditech雷卯SRV05-4LV完全替代 Bourns 伯恩斯CDSOT23-SRV05-4 ，Protek Devices SRV05-4。

5、型号SR33-04A与SR33-04AW工作电压为3.3V，IEC61000-4-5分别为 5A(8/20μs)和25A(8/20μs)，5A和25A 为IO口（PIN 1,3,4,6）对地（PIN 2），参数如下。

Part Number 型号及品牌	VRWM 反向工作电压	VBR 击穿电压	Bi/Ui 双向/单向	IR 漏电流	IPP(Max) I/O最大脉冲峰值电流	Vcmax@Ipp(I/O) 最高钳位电压	Cj 结电容	ESD(Air) /(Contact)空气接触防静电能力
SR33-04A (雷卯Leiditech）	3.3V	4.7V	Ui	0.6μA	5A	14V@25A	0.6pF	±20KV/±20KV
SR33-04AW (雷卯Leiditech）	3.3V	4.1V	Ui	0.6μA	24A	11V@24A	2.5pF	±30KV/±30KV