美国当地时间5月12日,存储器大厂美光科技举办Investor Day(投资者日)活动,展示了DRAM与NAND未来技术路线图,并宣布试行全新定价机制“远期定价协议“,以稳定存储器行业价格。

 

技术路线图曝光:1β DRAM、232层3D NAND将亮相

 

美光目前已经出货1α DRAM与176层NAND闪存,这两类产品良率出色,一季度合计出货量占美光产品总出货量的绝大部分。

 

最新技术路线图中,美光表示在DRAM领域将持续发力1β、1γ与1δ工艺,其中美光计划2022年底前推出1β DRAM产品,将可为图形、HBM3和汽车等领域提供良好的性能,美光希望通过1β DRAM产品,持续提升公司在DDR5和LPDDR5的地位。

 

 

至于1γ与1δ工艺时间节点美光则暂未公布,该公司表示将在1γ DRAM工艺中引入EUV技术。

 

NAND Flash方面,176层NAND闪存之后,美光工艺节点依次是232层、2YY、3XX与4XX。

  

 

其中,美光将在2022年底开始推出232层NAND产品。据悉,美光232层NAND闪存采用 3D TLC 架构,原始容量为1Tb(128GB),基于美光的CuA架构,并使用NAND字符串堆叠技术,在彼此的顶部建立两个3D NAND阵列。业界预估,232层NAND闪存芯片发布之后,美光将于2023年推出搭载该款芯片的SSD产品。

 

维护存储器价格稳定,美光将试行“远期定价协议”

 

Investor Day活动上,美光还对外宣布试行全新定价机制“远期定价协议(forward pricing agreements)”,旨在解决半导体产业定价波动剧烈的问题。美光透露前十大客户中的一位已经与美光签约,协议为期至少三年,预估一年可带来超过5亿美元收入。

 

 

美光CBO Sumit Sadana表示,该定价策略目前仍是「试验」性质,长约客户以采购量而非价格为基准,但远期价格协议则会涵盖交易量与定价。

 

 

当前,存储器市场受到疫情、国际形势变化、高通货膨胀等多因素困扰。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示,在俄乌冲突与高通货膨胀夹击之下,预估第二季DRAM价格将下跌0~5%。

 

 

NAND  Flash方面,由于原本预期铠侠(Kioxia)污染事件恐将造成第二至第三季市况转为吃紧,但在高通胀及俄乌冲突的冲击下,市场对于下半年传统旺季消费性产品需求看法转趋保守,集邦咨询预计第二季NAND Flash价格将上涨5~10%,而第三季价格则仅会微幅上涨约0~5%。