晶体二极管的伏安特性曲线

晶体二极管是一种常用的电子元件，具有单向导电性。当它们被正向偏置时，即正极连接在P型半导体、负极连接在N型半导体上，电流可以通过，而反向偏置时电流则会被阻止。

晶体二极管的伏安特性曲线描述了其正向和反向偏压之间的关系。对于正向偏压，在晶体二极管的导通电流低于饱和电流时，导通电流与正向电压之间成指数关系；而当偏压达到某个值时，电流会急剧增加，形成一个“开启”电压，进而超过该电压，电流将呈指数增长。对于反向偏压，只有很小的泄漏电流。

1.正向偏压下的伏安特性曲线

在正向偏压下，晶体二极管的伏安特性曲线可以通过理论计算和实验测量得到。在计算或绘制伏安特性曲线时，需要注意晶体二极管的工作温度和材料等相关参数。

在低电流下，导通电流与正向电压之间成指数关系，则伏安特性曲线呈现指数函数的形状。随着电流逐渐增大，它们之间的关系也会逐渐变化，直到达到某个电流值，此时电流突然急剧增加，形成了一个“开启”电压。当偏压超过该电压后，电流将呈指数增长，这种现象称为二极管的击穿现象。

2.反向偏压下的伏安特性曲线

在反向偏压下，晶体二极管的伏安特性曲线表现出几乎不漏电的特性。随着反向偏压的增加，只有很小的泄漏电流会通过晶体二极管。而当反向偏压过大时，晶体二极管就会发生击穿现象，从而使电流大幅度增加。

3.晶体二极管的应用

由于晶体二极管具有单向导电性和较快的响应速度等特点，它们在电路中得到广泛应用。例如，它们可以用于半波整流电路、全波整流电路、限幅电路、光电元件等领域。