功率开关器件

• 工业充电器拓扑结构选型基础知识：优化拓扑结构与元器件选型

  碳化硅（SiC）功率开关器件正成为工业电池领域一种广受欢迎的选择，因其能够实现更快的开关速度和更优异的低损耗工作，从而在不妥协性能的前提下提高功率密度。此外，SiC还支持 IGBT技术无法实现的新型功率因数拓扑结构。 本白皮书回顾了多种功率拓扑结构，还提出了功率因数校正（PFC）级与初级功率级的SiC MOSFET选型方案，以及次级同步整流功率级的硅基MOSFET选型策略。最后介绍了安森美（ons

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  2025/08/19

  SiC 功率开关器件

  
• 车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力

  车规MOSFET技术

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  2023/02/09

  MOSFET MOSFET技术
• 英飞凌推出CIPOS™ Tiny IM323-L6G新型智能功率模块，最大限度地提高效率和设计灵活性

  英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CIPOS Tiny IM323-L6G 600 V 15 A新产品，进一步扩展其CIPOS™ Tiny智能功率模块（IPM）系列的产品阵容。

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  2022/05/10

  英飞凌 功率模块
• 为了满足工业的苛刻应用要求，COSEL宣布在其轻薄开放式机架电源系列中增加10W和15W电源

  科索有限公司今天宣布在其LHA系列中添加两个紧凑型开放式框架电源，适用于要求苛刻的工业应用。LHA10F和LHA15F采用最新的功率开关技术，所以尺寸比市场上的传统产品小15%，泄漏电流低50%。

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  2022/03/22

  电源 科索
• igbt的作用和功能

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体功率开关器件，具有高电压、大电流和高频率特性。它在现代电力电子领域中扮演着重要的角色，广泛应用于交流变直流输电、电动机驱动、电力电子调节等领域。本文将介绍IGBT的定义、原理、结构以及其在不同应用中的作用和功能。

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  2024/01/05

  IGBT 功率开关

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