功率晶体管_功率晶体管是什么意思

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28/32 V LDMOS：新的IDCH技术将射频功率性能提高到4 GHz

意法半导体(ST)
249

2023/04/25
RF 射频器件功率晶体管
28/32 V LDMOS：IDDE技术提高效率和稳健性

意法半导体(ST)
207

2023/04/25
RF 射频器件功率晶体管
28/32V LDMOS：IDDE技术提高效率和稳健性

意法半导体(ST)
239

2023/04/25
RF 射频器件功率晶体管
50V射频LDMOS晶体管：新的IDEV技术将射频功率性能提高到2.0kW

意法半导体(ST)
77

2023/04/25
RF 射频器件功率晶体管
一种适用于陆地移动无线电的低成本VHF放大器设计指南

恩智浦
278

2023/04/25
放大器功率晶体管放大器增益

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高密度功率引擎|650V增强型GaN功率晶体管
GaN功率器件因其高频、高效、低损耗的特点，在电源设计中展现出巨大潜力。SKGM17N65-N88作为一款面向650V平台的应用，具有增强型常关特性，适合 Totem Pole PFC、AC-DC高频转换、DC-DC高密度电源等场景。其低反向恢复电荷和栅电荷使得高频开关更加容易实现，同时具备工业级认证和ESD防护，适用于大规模生产和严苛环境。

时科

575

02/11 10:13

GaN 功率晶体管
英飞凌 CoolGaN技术助力提升环隆科技PoE以太网供电器应用的电源性能
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）为环隆科技股份有限公司（UMEC）提供CoolGaN™功率晶体管，应用于其新型250 W网络以太网供电（PoE）适配器。英飞凌CoolGaN™晶体管具备极高的可靠性和卓越的性能，助力环隆科技开发更安全且高效节能的技术，以应对当今电力系统的多重挑战。这些解决方案广泛适用于电信、工业电子、医疗

与非网编辑

745

2025/10/10

英飞凌氮化镓
印度开发出首个完全自主研发的硅基氮化镓（GaN）微波功率晶体管
据 thehindubusinessline 网 5 月 4 日报道，印度科学研究院（IISc）纳米科学与工程中心（CeNSE）的研究人员成功开发出印度首个完全自主研发的硅基氮化镓（GaN）微波功率晶体管。

射频学堂

1908

2025/05/12

氮化镓功率晶体管
应用指南导读 | 优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局
作为宽禁带半导体，氮化镓（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而，GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力，我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗，确保电路正常、可靠地运行，并且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。

英飞凌

1341

2025/01/06

pcb布局功率晶体管
英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。此次合作将英飞凌的先进氮化镓（GaN

与非网编辑

876

2024/10/21

英飞凌 GaN

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