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    芯片良率是半导体行业的核心经济指标,决定新技术能否商业化。良率损失源于工艺偏差、设计限制和生产随机缺陷。泊松模型揭示了芯片面积增大导致良率指数级下降的现象。多重曝光技术虽提高分辨率,但也增加了良率损失。芯片架构设计直接影响缺陷容错能力,重复并行架构优于高耦合单片架构。3nm时代,传统降缺陷方法已达瓶颈,未来需依赖架构容错、芯粒异构和预测性测试提升良率。尽管多重曝光对良率有影响,但通过合理设计仍能达到较高良率水平。
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