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3D NAND Flash,剑指1000层堆叠!
闪存进入立体堆叠时代之后,在存储大厂推动下,闪存堆叠层数越来越高,目前已经突破200层大关。不过,大厂对于层数的追求永不止步,根据韩媒The Elec报道,三星存储业务高管近日对外表示,2030年V-NAND可以叠加到1000多层。闪存市场层数堆叠竞争愈演愈烈,未来存储产品容量有望持续提升。
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2023/07/06
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