3D NAND Flash_3D NAND Flash是什么意思

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3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！
闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂对于层数的追求永不止步，根据韩媒The Elec报道，三星存储业务高管近日对外表示，2030年V-NAND可以叠加到1000多层。闪存市场层数堆叠竞争愈演愈烈，未来存储产品容量有望持续提升。

全球半导体观察

1351

2023/07/06

SSD 闪存
韩国Wonik IPS｜供应三星西安3D Nand molding设备
根据韩媒 Etnews 报道，虽 Wonik IPS 公司的供应数量暂无具体资讯，但业界预测对公司业绩贡献巨大。

CINNO Research

82

2020/02/24

dram 三星电子
大陆存储器 53 年发展史
本文中的存储器包括DRAM、SRAM、EPROM、Flash和新型存储器（MRAM、PRAM、RRAM）产品。

赵元闯

52

2019/10/10

存储器 flash
东芝已正式更名为“铠侠”，公司将投资 3 亿扩大生产3D NAND Flash
与非网10月2日讯，作为NAND闪存的发明人，虽然市场地位已经被三星超越，但东芝的地位仍然不容小觑。

与非网记者

34

2019/10/02

NAND 内存
长江存储64层3D闪存芯片量产在即，国产芯片替代趋势下还存在哪些挑战？
据报道，紫光集团旗下的长江存储计划于今年年底前投入64层3D闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动，目前良率已经实现了显著爬升。

李晨光

22

2019/05/08

国产芯片长江存储

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