3D NAND

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3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。收起

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  • 利基需求升温叠加MLC转单效应,预估2H26 SLC NAND价格将上涨120-170%
    由于高层数3D NAND等高附加价值产品排挤成熟制程产能,MLC NAND供给极度短缺,迫使部分工控、车用和网通客户计划改采用SLC NAND,将导致原已吃紧的SLC供应情况更加紧绷。同时,AI边缘运算、数据中心、汽车电子等对SLC的需求持续提升,供需缺口急剧扩大,预估将推升2026年下半年SLC合约价格较上半年调涨120-170%,不排除有上修空间。 TrendForce集邦咨询表示,MLC合约
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    21小时前
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  • 一文了解3D NAND存储芯片发展及工作原理与失效机制
    半导体技术发展趋势概述:ITRS历史:国际技术路线图(ITRS)最初由美国半导体行业协会发布,旨在协调全球半导体技术发展路径。随着摩尔定律放缓,ITRS被更名为IRDS,以反映更多系统级新技术。三大发展方向:延续摩尔:通过优化晶体管结构和材料、光刻技术等方式挖掘传统硅基CMOS技术潜力。扩展摩尔:通过系统级集成和功能多样化提升性能,不再仅依赖晶体管微缩。
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  • 上半年合约价涨幅皆破100%,2H26结构性缺货将带动NOR Flash、SLC NAND价格持续上
    由于存储器大厂的产能规划持续倾向HBM、高层数3D NAND等高附加价值产品,挤压NOR Flash、SLC NAND依赖的成熟制程产能,然而因需求稳定,已推动2026上半年NOR Flash、SLC NAND累积合约价涨幅分别突破100%。由于供应商未有大规模扩产计划,预估下半年两项产品的价格将随供需紧张而继续调升。 TrendForce集邦咨询说明,NOR Flash的核心价值为实时执行(XI
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  • 正在演进的BiCS FLASH
    BiCS FLASH是铠侠自主研发的3D NAND闪存技术品牌,也是目前全球主流存储芯片的核心技术路线之一。BiCS的含义可以理解成Bit Cost Scaling,即位成本缩放,核心理念是通过三维垂直堆叠存储单元,在降低每比特存储成本的同时,突破传统2D NAND的物理微缩极限。 在芯片有限的面积内平地起高楼,让铠侠BiCS FLASH创造了许多可能性。如今,第八代BiCS FLASH在行业内广
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    06/15 10:35
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  • 上市只是开始,中国存储产业踏上新征程
    长鑫科技与长江存储双双冲刺IPO,标志着中国存储产业迈向资本化、规模化发展新阶段。长鑫科技专注DRAM研发,突破技术壁垒,产能稳步提升;长江存储聚焦3D NAND,依托自主创新的Xtacking架构,实现技术突破与市场份额增长。两者协同发展,推动中国存储产业在全球竞争中取得重要进展。
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    05/22 00:41