长江存储64层3D闪存芯片量产在即，国产芯片替代趋势下还存在哪些挑战？

近日，与非网获悉，紫光集团旗下的长江存储计划于今年年底前投入 64 层 3D 闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动，目前良率已经实现了显著爬升。

64 层芯片量产后，长江存储的主要精力将转移到 128 层上，后者有望在 2020 年大规模投产。

报道称，此前，采用长江存储闪存生产的 SSD 由紫光存储负责经销。目前长江存储正与紫光集团沟通，希望能够获得 SSD、UFS 存储芯片等产品的品牌建设和自主经营权。

此前，长江存储 / 紫光集团已经和深圳江波龙（Longsys）建立合作，计划打造高度国产化甚至完全国产化的存储设备。

长江存储是国内三大存储芯片阵营中主攻 NAND 闪存的公司，去年小规模生产了 32 层堆栈的 3D NAND 闪存，还在前不久 CITE2019 上展示了使用长江存储的 32 层 3D NAND 闪存的企业级 P8260 硬盘。

但是，公司 CTO 程卫华表示，长江存储并不打算大规模生产 32 层堆栈的 3D NAND 闪存，因此计划于今年下半年直接量产 64 层堆栈的 3D NAND 闪存，目前进展顺利，暂时没有障碍。

纵观国际闪存巨头，三星、SK Hynix、美光占据近乎 90%的存储市场，目前大多正在使用 90 层堆栈的 3D NAND 闪存。SK Hynix、美光计划今年开始大规模生产 96 层堆栈 3D NAND 闪存，三星则计划在今年下半年推 100 层堆栈的 NAND 闪存。

如果长江存储今年年底能够成功量产 64 层堆栈的 3D NAND 闪存，那么与三星等国际存储巨头公司技术差距可以缩小到 2 年左右。

最重要的是，人们担心一旦长江存储进入 NAND 闪存领域所带来的影响，因为 NAND 闪存降价会比预期更多。

从总体而言，与 DRAM 领域不同，长江存储在 NAND 领域取得了一些进展。如果今年下半年量产 64 层堆栈 NAND 闪存，在国产替代和政策要求的趋势下，中国智能手机及 PC 制造商可能将采用国产 NAND 闪存。如果出现这种情况，将影响 NAND 业务的盈利能力，这也是三星、东芝、美光、SK Hynix 及其他 NAND 厂商担心的问题。

但是面对差距，长江存储想要改变内存行业一直被三巨头垄断的现状，还存在诸多挑战：

• 还没大规模量产 32 层堆栈的 3D NAND 闪存，是否能够大规模量产 64 层堆栈的 3D NAND 闪存？产能问题如何解决？

• 闪存市场价格呈下跌态势，长江存储如何应对市场环境和趋势？

• 国产内存工艺相对落后，面对 2 年左右的技术差距，又该如何追赶？

以上因素都是长江存储或国产内存厂商无法逃避的问题，挑战仍在，任重道远。

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