CMP

SEMICON China 2026将在上海新国际博览中心盛大开幕，展会以“跨界全球・心芯相联”为主题，覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏、显示等全产业链。 近年来，在国家科技自立自强战略的强力牵引下，国内半导体产业链已完成从“点状突破”到“网状覆盖”的跨越——从刻蚀机、薄膜沉积设备到清洗、量测环节，一批国产设备厂商已进入全球主流产线；在材料领域，CMP抛光垫、湿电子化学品、硅片等也已实现

化学机械抛光(CMP)技术是一种高效的平坦化技术，在集成电路制造中广泛应用。它结合了化学抛光和机械抛光的优点，通过化学反应软化工件表面，再利用微粒摩擦去除材料，实现高效、高质量和平坦度的抛光效果。 CMP设备主要包括旋转硅片夹持器、旋转工作台和抛光液供给装置。抛光过程涉及硅片与弹性抛光垫的相对运动，以及抛光液的作用。合理的工艺参数调配，如转速、压力和抛光液流量，能够优化去除率和表面质量。 抛光液和抛光垫是CMP的关键耗材，它们的选择和配置直接影响抛光效果。常用的抛光垫材质多样，每种都有其独特的物理和力学特性，对抛光质量有显著影响。 目前，CMP设备的夹持方式包括石蜡粘结、水表面张力吸附、静电吸盘和真空吸盘等。其中，真空吸盘是最常见的夹持方法，适用于大面积硅片的精密抛光。 CMP技术广泛应用于半导体制造的多个环节，如金属层间绝缘膜、浅沟道隔离、多晶硅和金属的大马士革工艺等。此外，它还在硅抛光片制备和其他高表面加工要求的产品中发挥重要作用。

本文介绍了化学机械抛光(CMP)耗材的相关知识，涵盖了抛光垫、抛光液、钻石修整盘、清洗剂、挡圈和薄膜与胶带等主要耗材的作用、分类、材料和关键参数，并提供了全球CMP耗材供应商的统计数据。

CMP（化学机械抛光）是一种用于平坦化硅晶圆表面的技术，适用于氧化物和金属层的抛光。其关键在于如何在保证平坦的同时避免损伤其他材料。设备主要包括抛光盘、载具、压环、抛光垫、抛光液等。工艺参数如下压力、背压、台转速、头转速、浆料流量等直接影响去除速率和均匀性。典型缺陷包括盘蚀、侵蚀、划伤、过抛和欠抛。为了提高工艺稳定性，需要进行抛光终点检测、抛光后清洗，并使用SPC和DOE进行监控和优化。

中微公司宣布计划通过发行股份方式收购杭州众硅电子科技有限公司控股权并募集配套资金，此举旨在加强双方在CMP设备及相关技术上的合作，进一步巩固公司在半导体设备领域的领先地位，目标是成为全球一流的半导体设备平台型企业。