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CMP（化学机械抛光）

CMP（化学机械抛光）收起

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  • 聚氨酯，为什么成为主流CMP抛光垫材料？
    聚氨酯可通过软段、硬段和配方工艺调控，兼具弹性、硬度、耐磨与化学稳定性，契合CMP对抛光垫的多重要求，故仍为主流。其也存在磨损、釉化、化学环境变化及制造复杂等局限；国产竞争力在于稳定整合材料、微结构与工艺，未来向精细化、定制化发展。
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    11/11 09:27
    CMP 抛光垫
  • CMP抛光垫为什么常用MOCA？
    今天朋友问了我一个问题：MOCA疑似致癌，为什么现在做抛光垫还是moca作扩链交联剂？ 要弄清这个问题，首先看看moca是什么。 MOCA，中文名称为3,3’‑二氯‑4,4’‑二氨基二苯甲烷，也叫亚甲基双邻氯苯胺。它是一种芳香族二胺化合物，在聚氨酯弹性体行业中，主要用作固化剂和扩链剂。在CMP抛光垫行业中，无论是半导体用的微球类抛光垫（代表IC100）,还是泛半导体行业常用的聚氨酯发泡抛光垫（代表
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    11/10 12:12
    CMP 抛光垫
  • 3nm与HBM的命门，CMP如何扼住芯片咽喉
    CMP是半导体前道与先进封装的关键平坦化设备，随3nm、GAA、BSPDN和HBM需求增长，要求亚纳米精度与减薄抛光一体化。全球市场由应用材料和荏原主导，中国厂商加速国产化，设备、抛光液与抛光垫协同验证成核心。
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    10/30 10:34
    HBM CMP
    3nm与HBM的命门，CMP如何扼住芯片咽喉
  • 电子半导体核心零部件—CMP保持环PEEK注塑方案助力芯片良率提升
    在半导体芯片制造领域，化学机械抛光CMP工艺是实现晶圆全局平坦化的核心工序，每一次晶圆的平稳固定、抛光压力的均匀传导、抛光浆料的有序导流，都离不开CMP保持环这一关键耗材的稳定输出。面对先进制程的严苛要求（如低颗粒析出、高耐磨、高尺寸稳定性）以及叠加产线降本、减少停机维护的现实诉求，如何减少晶圆缺陷、提升芯片良率、延长零部件使用寿命，成为众多半导体设备厂商需要攻克的难题。 常州瑞璐塑业，深耕高性能
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    10/12 15:51
    CMP
  • 全球半导体CMP耗材供应商汇总（94家）
    本文介绍了化学机械抛光（CMP）耗材的基本原理及其主要耗材类别，包括研磨液、研磨垫、清洗液、修正盘、过滤器、保持环、清洁刷和吸附膜，并提供了这些耗材的功能、分类和特点。此外，作者还分享了一个包含94家CMP耗材供应商的数据统计表，该表详细列出了各种耗材的相关信息，可供读者参考。
    1280
    08/24 09:45
    CMP
    全球半导体CMP耗材供应商汇总（94家）
  • CMP材料，最有进展的几家公司
    近年来，随着国产晶圆厂扩产和国产替代进程加快，国内CMP产业链快速发展。鼎龙股份在抛光垫领域取得显著进展，实现核心原材料自主制备；安集科技在抛光液方面不断突破，市场份额稳步增长；华海清科则推出多款高端CMP设备，推动国产化进程。
    1582
    08/17 13:07
    CMP
    CMP材料，最有进展的几家公司
  • CMP抛光垫为什么要开槽？
    抛光垫开槽的主要目的是为了导液排屑和保留抛光液，从而提高CMP工艺的效率和均匀性。不同槽型的设计是为了适应不同的CMP工艺需求，影响抛光液的流动路径、停留时间及分布状态，进而改善晶圆表面的抛光效果和去除率。
    720
    08/13 08:26
    CMP 抛光垫
  • CMP抛光垫里的微孔是怎么来的？
    抛光垫微孔制作方法概述：发泡法：通过物理或化学方式在聚氨酯材料中形成气泡，固化后形成微孔。适用于低端行业。微球法：添加带有膨胀物质的微球，在聚氨酯固化后形成孔洞。孔径可控且均匀，适合半导体抛光。相转化法：利用溶剂和非溶剂的交换使聚氨酯发生相分离，冷冻后形成大量微孔。能产生细小微孔，适合无纺布和阻尼布抛光垫。
    779
    08/12 14:03
    CMP 抛光垫
  • 浦东新材料龙头企业，港股IPO获备案
    彤程新材宣布计划在香港发行不超过7872.49万股H股，募集资金主要用于高端光刻胶、先进CMP材料等产品的技术研发与产能扩展，以及完善海外供应链布局，提升全球交付能力。公司成立于1999年，主营新型化工材料的研发、生产和销售，尤其在半导体材料和轮胎用橡胶助剂等领域表现突出。2025年年报显示，公司营收同比增长4.85%，净利润同比增长8.86%，未来将继续加大研发投入，推动高端产品国产化进程。
    624
    08/12 00:39
    半导体材料 CMP
  • 2026，CMP抛光耗材大洗牌：谁正在吃掉全球市场？
    本文回顾了CMP抛光的基本概念及其重要性，并重点介绍了全球CMP耗材市场的三大支柱：抛光液、抛光垫和清洗液。抛光液作为化学武器，决定了抛光效果；抛光垫则是物理切削的关键，直接影响晶圆平整度；清洗液则是在抛光后清除残留物质，保持晶圆清洁。目前，这些耗材市场仍被国外企业主导，尤其是日本和美国企业。然而，中国企业在这些领域的市场份额逐渐增加，特别是鼎龙股份和安集科技，在抛光垫和清洗液方面表现突出，显示出国产替代的趋势。
    2509
    08/11 11:46
    CMP
  • 这个细分领域，鼎龙股份闷声发大财！
    芯片行业的幕后英雄：鼎龙科技如何突破CMP材料垄断并迈向更多关键技术领域？
    683
    08/10 23:07
    CMP
  • 半导体级CMP固定环加工——PPS精密注塑定制方案成量产关键
    伴随半导体芯片制造的精密化迭代，正推动化学机械抛光（CMP）工艺向高精度、高稳定性、高效率方向持续升级，成为晶圆全局平坦化处理的核心工序。CMP固定环作为设备核心耗材，主要用于抛光过程中固定晶圆、约束抛光区域、稳定抛光受力状态。常州瑞璐塑业致力于在特种工程塑料精密注塑与加工领域的长期积累，专注为半导体行业提供高品质的CMP固定环定制方案，助力先进制程耗材的国产化替代与规模化量产落地。 一、材料特性
    1238
    08/07 14:46
    晶圆 CMP
  • 中微公司2026年半年报预告：净利润狂增超280%
    8月3日，国内半导体设备龙头中微公司发布了2026年半年度业绩预告，预计上半年实现营业收入约66.91亿元，同比增长约34.89%。更令人瞩目的是其利润端的表现：预计实现归属于母公司所有者的净利润高达27亿元至29亿元，与上年同期的7.06亿元相比，同比增幅达到了惊人的282.48%到310.81%。即便剔除对外股权投资等非经常性损益的影响，公司扣非后归母净利润也预计达到10亿元至12亿元，同比增
    3012
    08/04 08:54
    半导体 半导体设备
    中微公司2026年半年报预告：净利润狂增超280%
  • 国产替代实测：驰明普陶瓷 CMP 精抛液全维度中立测评
    前言：3C 陶瓷盖板抛光耗材国产替代行业背景 在智能手机、智能手表、无线耳机等消费电子终端，氧化锆陶瓷盖板凭借高硬度、耐磨损、温润亲肤的触感、高透光镀膜适配性，逐步替代玻璃、金属后盖成为高端机型标配。陶瓷盖板加工流程分为毛坯成型、金刚石粗抛、中抛、CMP 终道精抛四道核心工序，其中CMP 化学机械精抛直接决定产品镜面光泽度、表面粗糙度、划痕麻点不良率，是决定量产良率与综合加工成本的关键环节。 长期
    1466
    08/03 09:21
    智能手机 CMP
  • 国产蓝宝石精抛耗材实测：驰明普SiO₂体系CMP抛光液中立全维度测评
    测评前言 随着 Mini/Micro LED 产业扩产、高端光学蓝宝石盖板、红外窗口片需求持续释放，蓝宝石衬底 CMP 化学机械抛光耗材国产替代进程持续提速。长期以来，高端蓝宝石终道精抛工序高度依赖进口硅溶胶抛光液，存在采购周期长、单价高、配方调试响应滞后等痛点；多数平价国产抛光液则普遍存在表面缺陷多、金属杂质残留高、浆料易沉降、后段清洗成本高等量产短板。 本次测评基于驰明普（万稳实业）蓝宝石 C
    1597
    08/01 16:15
    led CMP
  • 芯科科技推动Matter的大规模部署
    该实验网络验证了Matter技术已准备就绪，可通过并发多协议技术应用于商业建筑、智能家居及下一代物联网部署 低功耗无线解决方案创新性领导厂商Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）近日宣布，已成功部署并运行了一个由200个节点组成的Matter-over-Thread验证网络，这充分展示了Matter在大规模智慧楼宇、商业物联网（IoT）及下一代智能家居应用中的可扩展性
    466
    06/24 10:00
    Matter Silicon Labs
    芯科科技推动Matter的大规模部署
  • 一文了解化学机械抛光(CMP)发展及应用
    化学机械抛光是一种结合机械和化学方法的超精密表面制造技术，广泛应用于半导体行业。它通过机械力和化学反应的耦合作用来实现材料表面的平坦化。化学机械抛光的基本原理包括抛光机、抛光垫和抛光液三部分，其中抛光液包含氧化剂、分散剂、表面活性剂等多种化学添加剂。这些添加剂对工件的CMP性能有着重要影响。此外，纳米金刚石、氧化铝、氧化铈和氧化硅等不同类型的磨粒也被广泛应用于化学机械抛光过程中。
    2215
    06/10 09:02
    CMP
    一文了解化学机械抛光(CMP)发展及应用
  • cmp后清洗的辊刷与盘刷
    在CMP后清洗工艺中，辊刷与盘刷是最核心的两大机械清洗模组。两者均利用高分子聚合物施加微弱机械力并配合化学药液和流体剪切力来清除残留颗粒和杂质。辊刷采用圆柱长辊，全面积同时接触，适合量产；盘刷则为圆盘形，局部扫描覆盖，适用于精细清洗和先进节点。
    986
    05/28 13:35
    CMP PCBA清洗机
  • cmp后清洗的刷子会刮伤晶圆吗？
    PVA海绵在正常工艺条件下不易刮伤，因其硬度极低且带有流体润滑膜。然而，在某些情况下，如刷子内嵌硬颗粒、压力过大、刷子老化、清洗液不足或相对速度异常时，可能会导致晶圆刮伤。
    1551
    05/28 13:33
    CMP
  • CMP是混合键合的关键工艺 面临哪些挑战和解决方案解读（文后附全文报告）
    该报告详细介绍了混合晶圆键合（HWB）中的化学机械抛光（CMP）技术面临的两大核心挑战及其解决方案，并探讨了晶圆背减工艺和TSV集成工艺中的CMP挑战与选型策略。
    2354
    03/31 10:23
    CMP 混合键合

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