芯耀
200
前面几篇文章都是发布半导体设备供应商的数据，这次就换换口味，做一个材料相关的行业数据统计吧
化学机械抛光（CMP：Chemical Mechanical Polishing）的原理其实在半导体制造的各种工序里不算复杂，不过其用到的主要耗材的种类也不少。在我最新的数据库里，目前已经统计到了89家相关耗材的供应商了当然，其中业也包含了晶圆衬底的研磨液和研磨垫。由于技术要求的差异，它和前道使用的研磨液和研磨垫是有所不同的。这个我在后面的表格里也是有所标注的
下面我借用DeepSeek整理了一个相关耗材的知识介绍，供大家参考（以下蓝色字体）
1. 抛光垫（Polishing Pad）
作用：直接接触晶圆表面，通过机械摩擦与化学作用实现材料去除和表面平坦化。
分类与材料：
按材质：聚氨酯（主流）、无纺布复合材料、多孔结构材料。
按硬度：软垫（适用于高选择性抛光）、硬垫（适用于全局平坦化）。
表面结构：开孔式（利于抛光液分布）、闭孔式（提高机械强度）。
关键参数：粗糙度、孔隙率、硬度、耐磨性。
应用场景：
氧化物CMP：常用中等硬度开孔垫（如IC系列）。
金属CMP（如铜）：需软垫减少划伤。
2. 抛光液（Slurry）
作用：提供化学腐蚀与机械研磨的协同作用，核心成分包括研磨颗粒、氧化剂、pH调节剂等。
分类与组成：
金属抛光液（如铜、钨）：
研磨颗粒：氧化铝（Al₂O₃）或二氧化硅（SiO₂）。
氧化剂：过氧化氢（H₂O₂）、硝酸铁（Fe(NO₃)₃）。
抑制剂：BTA（苯并三氮唑）防止过度腐蚀。
非金属抛光液（如氧化物、氮化硅）：
研磨颗粒：胶体二氧化硅（Colloidal Silica）。
pH调节：碱性（如KOH）或酸性（如HNO₃）。
特殊类型：
阻挡层抛光液（如钽/TaN）：需高选择性配方。
低缺陷抛光液：用于先进节点（<7nm），控制颗粒粒径均匀性。
3. 钻石修整盘（Diamond Conditioner Disk）
作用：修整抛光垫表面，恢复粗糙度并去除残留物，维持稳定的抛光速率。
结构与材料：
基底：金属（镍）或陶瓷。
表面：嵌入金刚石颗粒（单晶/多晶），分布密度和粒径影响修整效果。
分类：
在线修整器（In-situ）：集成在CMP设备中，实时修整。
离线修整器：周期性维护使用。
关键参数：钻石颗粒密度（#/cm²）、修整压力、运动轨迹。
4. 清洗剂（Cleaning Chemicals）
作用：抛光后去除晶圆表面残留的颗粒、有机物及金属离子。
类型：
酸性清洗液（pH<3）：如稀释HF（去除氧化物残留）。
碱性清洗液（pH>10）：含表面活性剂（如SC-1溶液）。
去离子水（DIW）：用于多级冲洗。
新兴趋势：环保型无磷配方、兆声波辅助清洗。
5. 挡圈（Retaining Ring）
作用：固定晶圆位置，防止边缘滑移，确保抛光均匀性。
材料：
工程塑料：PPS（聚苯硫醚）、PEEK（耐高温）。
复合材料：碳纤维增强聚合物（高刚性）。
设计要点：内圈齿形结构优化流体动力学。
6. 薄膜与胶带（Tapes & Films）
作用：临时保护晶圆背面或提供载体支撑。
背面保护膜：聚酯（PET）材质，防止背面污染。
临时键合胶带：用于薄晶圆抛光（如3D IC），需耐化学腐蚀。
完整版量检测设备信息原始EXCEL文档《全球半导体CMP耗材供应商统计》，我已经放到了知识星球的云盘上供会员使用。如果您对此类数据有兴趣，欢迎加入我的知识星球后获取 -- 文章最后有加入方式
注）Resonac/力森诺科就是原来的Showa Denko/昭和电工
