CMP

该报告详细介绍了混合晶圆键合（HWB）中的化学机械抛光（CMP）技术面临的两大核心挑战及其解决方案，并探讨了晶圆背减工艺和TSV集成工艺中的CMP挑战与选型策略。

SEMICON China 2026将在上海新国际博览中心盛大开幕，展会以“跨界全球・心芯相联”为主题，覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏、显示等全产业链。 近年来，在国家科技自立自强战略的强力牵引下，国内半导体产业链已完成从“点状突破”到“网状覆盖”的跨越——从刻蚀机、薄膜沉积设备到清洗、量测环节，一批国产设备厂商已进入全球主流产线；在材料领域，CMP抛光垫、湿电子化学品、硅片等也已实现

化学机械抛光(CMP)技术是一种高效的平坦化技术，在集成电路制造中广泛应用。它结合了化学抛光和机械抛光的优点，通过化学反应软化工件表面，再利用微粒摩擦去除材料，实现高效、高质量和平坦度的抛光效果。 CMP设备主要包括旋转硅片夹持器、旋转工作台和抛光液供给装置。抛光过程涉及硅片与弹性抛光垫的相对运动，以及抛光液的作用。合理的工艺参数调配，如转速、压力和抛光液流量，能够优化去除率和表面质量。 抛光液和抛光垫是CMP的关键耗材，它们的选择和配置直接影响抛光效果。常用的抛光垫材质多样，每种都有其独特的物理和力学特性，对抛光质量有显著影响。 目前，CMP设备的夹持方式包括石蜡粘结、水表面张力吸附、静电吸盘和真空吸盘等。其中，真空吸盘是最常见的夹持方法，适用于大面积硅片的精密抛光。 CMP技术广泛应用于半导体制造的多个环节，如金属层间绝缘膜、浅沟道隔离、多晶硅和金属的大马士革工艺等。此外，它还在硅抛光片制备和其他高表面加工要求的产品中发挥重要作用。

本文介绍了化学机械抛光(CMP)耗材的相关知识，涵盖了抛光垫、抛光液、钻石修整盘、清洗剂、挡圈和薄膜与胶带等主要耗材的作用、分类、材料和关键参数，并提供了全球CMP耗材供应商的统计数据。

CMP（化学机械抛光）是一种用于平坦化硅晶圆表面的技术，适用于氧化物和金属层的抛光。其关键在于如何在保证平坦的同时避免损伤其他材料。设备主要包括抛光盘、载具、压环、抛光垫、抛光液等。工艺参数如下压力、背压、台转速、头转速、浆料流量等直接影响去除速率和均匀性。典型缺陷包括盘蚀、侵蚀、划伤、过抛和欠抛。为了提高工艺稳定性，需要进行抛光终点检测、抛光后清洗，并使用SPC和DOE进行监控和优化。