关于GaN的所有信息
支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术

两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高(和降低)。

历经八年,GaN功率器件有怎样的成长之路?

自第一台商业化的GaN功率器件问世以来已经过去八年了。那些积极推广GaN技术的公司也越来越被行业电力电子行业中的人士熟知。而且近年来,GaN初创企业的名单也越来越长:Exagan、GaN Power International、Tagore Technology等也在提供GaN功率器件。

GaN(氮化镓)适用于哪些关键领域?

半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年,一路上挟风带雨,好不风光。不过随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限,摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。

一文看懂5G时代的人中国氮化镓PA产业
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GaN 是属于异质结 HEMT(High Electron Mibility Transistro),异质结就是利用一种比 GaN 禁带宽度更高的(Al,Ga)GaN 与 GaN 组合在一起。

【技术分享】关于生成对抗网络的七个开放性问题
【技术分享】关于生成对抗网络的七个开放性问题

关于生成对抗网络的七个开放性问题,个个都是灵魂追问。

一文读懂国产GaN 放大器产业链及主要参与厂商
一文读懂国产GaN 放大器产业链及主要参与厂商

GaN-on-SiC 射频器件的供应商主要为 IDM 企业,核心产业链环节包括 SiC 衬底材料制作、GaN 材料外延生长、器件设计和制造、封装测试。本文将从 SiC 衬底、GaN 材料外延、器件设计和制造三个环节来阐述。

中国5G氮化镓PA产业及市场格局怎么样?
中国5G氮化镓PA产业及市场格局怎么样?

GaN 是属于异质结 HEMT(High Electron Mibility Transistro),异质结就是利用一种比 GaN 禁带宽度更高的(Al,Ga)GaN 与 GaN 组合在一起。

第三代半导体材料GaN对5G如此重要,各国布局如何?

国家新材料产业发展战略咨询委员会天津院特撰写了《5G战场必争之地系列③——第三代半导体高端材料GaN全球技术分析报告》,对其潜在市场蛋糕价值、大国布局竞争抢位、行业未来发展趋势等进行深入分析研究

VisIC公司推出最小GaN车载充电器参考设计

在快速发展的汽车、数据中心及工业电机市场当中,VisIC科技有限公司是氮化镓 (GaN) 功率半导体器件方面的一个领导者。

小身材高效率,EPC推出氮化镓场效应晶体管EPC2052

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向48V-12VDCDC功率转换器,这些新一代氮化镓场效应晶体管工作在500kHz频率下,可实现超过97%的效率。如果工作在1MHz时,则实现超过96%的效率。

MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能,支持5G无线网络建设

MACOM Technology Solutions Holdings公司(纳斯达克股票代码:MTSI) (以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于25日宣布,将在2019年扩大ST工厂150mm 硅基GaN的产能,200mm硅基GaN按需扩产。

随着MEMS需求增长,这家公司收益颇多?

2月27日,耐威科技发布2018 年年度业绩快报。公司实现营业收入 71,384.10 万元,较上年同期增长 18.87%;实现营业利润13,305.71万元,较上年同期增长90.05%;实现利润总额13,278.58 万元,较上年同期增长 89.85%;实现归属于上市公司股东的净利润 9,887.81 万元,较上年同期增长 104.15

硬创峰会独家:UMS、Littelfuse、EPC首度集中解读第三代宽禁带半导体材料SiCGaN的发展趋势及最新技术

据预测, 第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN的市场规模将在2020年达到近10亿美元,并将主要推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏逆变器等方面的需求。

碳化硅VS氮化镓,宽禁带半导体材料双雄能否带中国实现弯道超车?

在现实世界中,没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷,但是你每天用的电脑,手机以及电视等等,都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说,今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分,那就是半导体材料。

不是GaN也不是石墨烯,一种突破硅技术限制的新材料被发现
不是GaN也不是石墨烯,一种突破硅技术限制的新材料被发现

在电力电子领域,当前仍然占据主导地位的硅技术将无法在可以预见的未来满足不断增长的需求。大学、弗劳恩霍夫协会和电力中心的科学家们已经联合起来,研究一种可以更好地满足未来工业需求的部件及新型材料结构。现在,这些科学家正在研究一种也许大多数电子工程师也未曾听说过的新材料:ScAIN。

射频前端GaN优势明显:集成度更高、高功率密度、低功耗、具有极强的成本效益

目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备,如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si,射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料,从目前的材料工艺角度来看,主要针对5G的Sub-6GHz范围。

GaN新材料衬底为5G提供更宽的频率范围

“MACOM已经提出了使用硅衬底实现6GHz以下频率、多功能、多技术5G前端的可能性。据该公司称,在单个硅芯片上实现GaN器件和CMOS器件的同质集成,将为实现集成片上数字控制和校准以及片上配电网络等功能的多功能数字辅助RF MMIC创造前景。

耐威科技子公司成功研制“8英寸硅基氮化镓外延晶圆”,有啥亮点?
耐威科技子公司成功研制“8英寸硅基氮化镓外延晶圆”,有啥亮点?

耐威科技发布公告称,近日,公司控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)成功研制“8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”,具体如下:

一文读懂第三代半导体材料的特性、应用

半导体材料是半导体产业发展的基础,20世纪30年代才被科学界所认可。随着半导体产业的发展,半导体材料也从一代、二代发展到现在的第三代,本文着重分析第三代半导体材料的特性、应用,以及我国第三代半导体材料发展面临的机遇和挑战。

DeepMind的TF Hub demo诠释「史上最强 GAN 图像生成器」

BigGAN 一经提出即引起了大量关注,被称为「史上最强 GAN 图像生成器」。今日,DeepMind 放出了 BigGAN 的拿来即用 TF Hub demo,可以在 Colab 上运行图像生成和图像插值任务。