英诺赛科

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英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。

英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 收起

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  • 英飞凌赢得对英诺赛科的专利侵权诉讼
    德国慕尼黑地方法院(Landgericht München I)于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓(GaN)技术的两项进一步专利侵权案件作出判决(分别基于一项专利及一项实用新型),均裁定英飞凌胜诉。 此案涉及中国公司英诺赛科未经授权使用英飞凌已取得专利的氮化镓技术。根据本次判决,法院禁止英诺赛科在德国境内制造、销售及推广更多侵权产品。此外,法院还裁定英诺赛科需向英飞凌支付损害
  • 从800VDC到GPU,英诺赛科加入英伟达新生态链
    英伟达公布最新800VDC系统合作名单,英诺赛科成为国内唯一入选企业。英诺赛科与英伟达合作深化,加入NVIDIA MGX™生态系统,推动全GaN电源转换技术,支持下一代高密度AI电源系统。GaN技术因其低导通电阻、低栅极电荷等优势,成为AI供电的关键技术。英诺赛科提出三级转换方案,实现从800VDC到GPU核心电压的高效转换,助力AI基础设施发展。
  • 【化合物半导体】英飞凌与英诺赛科的增量市场争夺
    在全球功率半导体向第三代材料迭代的过程中,英飞凌和英诺赛科展开了一场激烈的专利战。英飞凌作为全能巨头,凭借系统级生态稳守基本盘,而英诺赛科则以极致产能与性价比优势挑战行业现状。两者在技术能力、应用市场、商业模式等方面各有侧重,争夺高利润增量市场。英飞凌通过战略性防御,争取时间窗口,巩固高端市场地位;英诺赛科则依靠产能规模、技术响应能力和市场嵌入,力争在成本敏感市场称王。
    【化合物半导体】英飞凌与英诺赛科的增量市场争夺
  • 美国国际贸易委员会(ITC)裁定英飞凌胜诉,并对英诺赛科实施进口及销售禁令
    美国国际贸易委员会(ITC)全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定,确认英诺赛科(Innoscience)侵犯了英飞凌的一项氮化镓(GaN)技术专利,并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人Johannes Schoiswohl表示:
    美国国际贸易委员会(ITC)裁定英飞凌胜诉,并对英诺赛科实施进口及销售禁令
  • 英诺赛科/天域半导体2025年财报解析
    英诺赛科与天域半导体发布亮眼成绩单,英诺赛科氮化镓营收增长46.3%,出货量超8亿颗,AI及汽车领域表现突出;天域半导体碳化硅外延营收增至7.09亿元,8英寸碳化硅外延占比提升至28%。
    英诺赛科/天域半导体2025年财报解析