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动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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  • 2026内存拐点:HBM4与4F² DRAM重构AI硬件格局(IMW 报告解读)
    芯科技圈研读应用材料IMW关于高级DRAM和HBM的材料、器件和系统协同优化报告,深入探讨了八个关键技术问题及其解决方案:混合键合:AI算力需求推动HBM从微凸块转向混合键合,低温铜键合的关键技术挑战在于CuO最小化与高扩散率平衡,以及TSV引起的量产缺陷。垂直沟道晶体管:DRAM从6F²过渡到4F²需要垂直沟道晶体管来提高密度,平面结构无法满足缩微要求,必须采用垂直自对准晶体管(S2CAT/VCT)。
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    04/01 17:09
  • AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行,CSP借长期协议锁定供货
    2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用,并采用“补涨”策略拉近各类产品价差,尽管终端市场面临出货下修风险,预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将季增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导,全产品线连锁涨价的效应不减,预计第二季整体合约价格将季增70-75%。 分析各类DRAM产品价格变化,PC DRAM部分
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    全球DRAM存储器面临严重短缺,预计到2026年需求达380BGB,产能仅300BGB,缺口约30%。数据中心服务器需求最大,占160BGB,其次是智能穿戴、车载电子、工业控制等合计100BGB,移动设备需求80BGB,个人电脑需求40BGB。三星、海力士和美光三大巨头占据全球85%-90%的生产能力,尤其三星因市场敏锐调整资源至HBM和DDR5x等高端产品。长鑫存储发布最新DDR5产品系列,覆盖全场景高端需求,计划IPO融资295亿元,加速技术研发和产能升级,有望成为国产内存的重要力量。
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  • 美光Q2净利暴增7.7倍:DRAM涨价65%,NAND涨价80%!
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    03/20 15:06
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  • 一文了解存储芯片分类及DRAM工作原理
    半导体存储器发展历程概述:早期阶段:从纸质记录到机械存储,再到磁带和磁鼓内存,逐步过渡到电子计算机时代。磁性存储器:1928年磁带商业化,1932年磁鼓内存诞生,显著提升存储容量和访问速度。半导体存储器:1966年动态随机存取存储器(DRAM)问世,极大推动了信息存储领域的进步。分类:半导体存储器分为非易失性和易失性两类,前者包括ROM及其衍生类型,后者主要包括RAM。
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